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1. (WO2009035827) SOURCE DE LUMIÈRE À RÉSEAU DE DEL STRUCTURÉ VERTICALEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/035827    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/073605
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 19.08.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.12.2008    
CIB :
H01L 27/15 (2006.01)
Déposants : CHUNG, David, Yaunien [US/US]; (US).
CHUNG, Thomas, Taoming [US/US]; (US)
Inventeurs : CHUNG, David, Yaunien; (US).
CHUNG, Thomas, Taoming; (US)
Mandataire : BELASCO, David, A.; Belasco Jacobs & Townsley, LLP 6701 Center Drive West 14th Floor Los Angeles, CA 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
11/900,576 12.09.2007 US
Titre (EN) VERTICALLY STRUCTURED LED ARRAY LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE À RÉSEAU DE DEL STRUCTURÉ VERTICALEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A vertical structured Light Emitting Diode (LED) array using wafer level bonding is described. The process bonds two or more LED arrays vertically to produce light mixing in a small footprint. The vertically bonded LED array contains through substrate vias and a plurality of metal posts coated with solder to form an internal cavity between the LED layers. This LED array structure is intrinsically hermetically sealed.
(FR)L'invention concerne un réseau de diodes électroluminescentes (DEL) structuré verticalement à l'aide d'un collage sur tranche. Le procédé colle au moins deux réseaux de DEL verticalement pour produire un mélange de lumière avec un faible encombrement. Le réseau de DEL collé verticalement contient des trous d'interconnexion traversant le substrat et une pluralité de montants métalliques revêtus de soudure pour former une cavité interne entre les couches de DEL. Cette structure de réseau de DEL est scellée hermétiquement de façon intrinsèque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)