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1. (WO2009035767) CIRCUIT D'ENTRÉE POUR UN AMPLIFICATEUR ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2009/035767 N° de la demande internationale : PCT/US2008/070622
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 21.07.2008
CIB :
H03F 1/56 (2006.01) ,H03H 7/38 (2006.01) ,H03H 11/28 (2006.01) ,H03F 3/19 (2006.01) ,H03F 3/193 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56
Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7
Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
38
Réseaux d'adaptation d'impédance
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11
Réseaux utilisant des éléments actifs
02
Réseaux à plusieurs accès
28
Réseaux d'adaptation d'impédance
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
193
comportant des dispositifs à effet de champ
Déposants :
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449, US (AllExceptUS)
WHELAN, Colin, S. [US/US]; US (UsOnly)
TREMBLAY, John, C. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
WHELAN, Colin, S.; US
TREMBLAY, John, C.; US
Mandataire :
MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP Suite 301A 354A Turnpike St. Canton, Massachusetts 02021, US
Données relatives à la priorité :
11/851,42507.09.2007US
Titre (EN) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
(FR) CIRCUIT D'ENTRÉE POUR UN AMPLIFICATEUR ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION ASSOCIÉ
Abrégé :
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
(FR) L'invention concerne un circuit comprenant: un réseau d'adaptation d'entrée, un transistor (14) couplé à une sortie du réseau d'adaptation d'entrée; et le réseau d'adaptation d'entrée (12) présentant une première impédance d'entrée, lorsque celui-ci est alimenté par un signal d'entrée présentant un faible niveau de puissance. Le réseau d'adaptation d'entrée (12) présente une impédance d'entrée différente de la première impédance d'entrée, lorsqu'il est alimenté par un signal présentant un niveau de puissance relativement élevé.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)