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1. (WO2009035727) GRILLES DE MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE EN TRANSMISSION POUR LA DÉTERMINATION DE RELATIONS STRUCTURE-PROPRIÉTÉ EN NANOTECHNOLOGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/035727    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/064152
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 19.05.2008
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : STATE OF OREGON ACTING BY AND THROUGH THE STATE BOARD OF HIGHER EDUC.ON BEHALF OF THE UNIV.OF OREGON [US/US]; 1238 University Of Oregon, Eugene, OR 97403-1238 (US) (Tous Sauf US).
HUTCHISON, James, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
KEARNS, Gregory, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HUTCHISON, James, E.; (US).
KEARNS, Gregory, J.; (US)
Mandataire : JONES, Michael, D.; Klarquist Sparkman, L.L.P., One World Trade Center, Suite 1600, 121 SW Salmon Street, Portland, OR 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
60/930,710 18.05.2007 US
Titre (EN) TEM GRIDS FOR DETERMINATION OF STRUCTURE-PROPERTY RELATIONSHIPS IN NANOTECHNOLOGY
(FR) GRILLES DE MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE EN TRANSMISSION POUR LA DÉTERMINATION DE RELATIONS STRUCTURE-PROPRIÉTÉ EN NANOTECHNOLOGIE
Abrégé : front page image
(EN)Silicon grids with electron-transparent SiO2 windows for use as substrates for high-resolution transmission electron microscopy of chemically-modified SiO2 surfaces are fabricated by forming an oxide layer on a silicon substrate. An aperture is defined in the silicon substrate by etching the substrate to the oxide layer. A single substrate can include a plurality of apertures that are in respective frame regions that are defined by one or more channels in the substrate. Structural or chemical functionalizations can be provided, and surface interactions observed via TEM.
(FR)Selon l'invention, on fabrique des grilles de silicium dotées d'une fenêtre en SiO2 laissant passer les électrons devant être utilisées comme substrats pour l'examen par microscopie électronique en transmission haute résolution de surfaces en SiO2 modifiées chimiquement, en formant une couche d'oxyde sur un substrat en silicium. On définit une ouverture dans le substrat en silicium en attaquant le substrat jusqu'à la couche d'oxyde. Un seul substrat peut comporter une pluralité d'ouvertures situées dans des régions de structure respectives définies par un ou plusieurs canaux dans le substrat. Selon l'invention, il est possible d'obtenir des fonctionnalisations structurales ou chimiques et d'observer des interactions de surface via un microscope électronique en transmission.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)