WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009035643) UNITÉ DE BLOCAGE DE TRANSITOIRE DE TENSION ÉLEVÉE CONNECTÉE EN GRILLE COMMUNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/035643    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/010627
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 10.09.2008
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H02H 9/02 (2006.01)
Déposants : FULTEC SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 2029 Stierlin Court, Suite 120, Mountain View, CA 94043 (US) (Tous Sauf US).
MORRISH, Andrew, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MORRISH, Andrew, J.; (US)
Mandataire : LODENKAMPER, Robert; 2345 Yale Street, 2nd Floor, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
60/993,222 10.09.2007 US
61/001,658 02.11.2007 US
Titre (EN) COMMON GATE CONNECTED HIGH VOLTAGE TRANSIENT BLOCKING UNIT
(FR) UNITÉ DE BLOCAGE DE TRANSITOIRE DE TENSION ÉLEVÉE CONNECTÉE EN GRILLE COMMUNE
Abrégé : front page image
(EN)When a series protective element such as a transient blocking unit (TBU) is used in combination with a shunt protective element such as a gas discharge tube (GDT), firing of the GDT can cause a transient having the potential to damage the TBU. This problem can be alleviated by placing a TBU core in series between depletion mode transistors having their gates connected. With this arrangement, the GDT transient causes a transient in the TBU circuit that has the effect of switching the transistors around the TBU hard off, thereby protecting the TBU from the GDT transient.
(FR)Lorsqu'un élément de protection en série tel qu'une unité de blocage de transitoire (TBU) est utilisé en combinaison avec un élément de protection en dérivation tel qu'un tube à décharge gazeuse (GDT), un déclenchement du GDT peut provoquer un transitoire ayant le potentiel d'endommager la TBU. Selon l'invention, ce problème peut être atténué en plaçant un noyau TBU en série entre des transistors à mode de déplétion ayant leurs grilles connectées. Avec cet agencement, le transitoire de GDT provoque un transitoire dans le circuit TBU qui a l'effet de commuter les transistors autour de la TBU dans un état très bloqué, protégeant ainsi la TBU contre le transitoire de GDT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)