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1. (WO2009034998) COMPOSITION CONTENANT UN POLYMÈRE AYANT UN GROUPE SYLILE AZOTÉ POUR LA FORMATION D'UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSIST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/034998    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/066331
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 10.09.2008
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAJIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIBAYAMA, Wataru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANNO, Yuta [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAJIMA, Makoto; (JP).
SHIBAYAMA, Wataru; (JP).
KANNO, Yuta; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office Shin-Ochanomizu Urban Trinity 2, Kandasurugadai 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-235852 11.09.2007 JP
Titre (EN) COMPOSITION CONTAINING POLYMER HAVING NITROGENOUS SILYL GROUP FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION CONTENANT UN POLYMÈRE AYANT UN GROUPE SYLILE AZOTÉ POUR LA FORMATION D'UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSIST
(JA) 窒素含有シリル基を含むポリマーを含有するレジスト下層膜形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a resist underlayer film for lithography which does not intermix with a photoresist and has a higher dry-etching rate than the photoresist; and a resist underlayer film formation composition for forming the underlayer film. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The resist underlayer film formation composition for lithography comprises a polymer having a partial structure represented by the following formula (1): Formula (1) (wherein X1 represents a group represented by the formulae (2), (3), (4), or (4-1): Formula (2) Formula (3) Formula (4) Formula (4-1) and a solvent. The polymer may further contain a partial structure represented by the formula (5): (R1)a(R3)bSi(O-)4-(a+b) Formula (5) and/or a partial structure represented by the formula (6): [(R4)cSi(O-)3-c]2Y Formula (6) besides the partial structure represented by the formula (1).
(FR)L'invention concerne un film de sous-couche de résist pour lithographie ne se mélangeant pas avec une résine photosensible et ayant une vitesse de gravure sèche plus élevée que celle de la résine photosensible; et une composition de formation de film de sous-couche de résist pour former le film de sous-couche. A cet effet, la composition de formation de film de sous-couche de résist pour lithographie comprend un polymère ayant une structure partielle représentée par la formule suivante (1) : Formule (1) (X1 représentant un groupe représenté par les formules (2), (3), (4) ou (4-1) : Formule (2) Formule (3) Formule (4) Formule (4-1), et un solvant. Le polymère peut en outre contenir une structure partielle représentée par la formule (5) : (R1)a(R3)bSi(O-)4-(a+b) Formule (5) et/ou une structure partielle représentée par la formule (6) : [(R4)cSi(O-)3-c]2Y Formule (6), en plus de la structure partielle représentée par la formule (1).
(JA)【課題】  フォトレジストとのインタ-ミキシングを起こさず、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィ-用レジスト下層膜及び該下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 【請求項1】 下記式(1) (式中、X1は、式(2)、式(3)、式(4)又は式(4-1)で表わされる基を表わす。)で表わされる部分構造を含むポリマー及び溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。該ポリマーは、式(1)で表わされる部分構造に加えて、更に、式(5) (R1a(R3bSi(O-)4-(a+b)          式(5) で表わされる部分構造、及び/又は式(6) 〔(R4cSi(O-)3-c2Y        式(6) で表わされる部分構造を含み得る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)