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1. (WO2009034938) GÉNÉRATEUR DE VAPEUR DE MATÉRIAU ORGANIQUE, SOURCE DE DÉPÔT DE FILM, ET APPAREIL DE DÉPÔT DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/034938    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/066149
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 08.09.2008
CIB :
H05B 33/10 (2006.01), C23C 14/12 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
NEGISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NEGISHI, Toshio; (JP)
Mandataire : ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F 1-2-18, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-234441 10.09.2007 JP
2008-043480 25.02.2008 JP
Titre (EN) ORGANIC-MATERIAL VAPOR GENERATOR, FILM DEPOSITION SOURCE, AND FILM DEPOSITION APPARATUS
(FR) GÉNÉRATEUR DE VAPEUR DE MATÉRIAU ORGANIQUE, SOURCE DE DÉPÔT DE FILM, ET APPAREIL DE DÉPÔT DE FILM
(JA) 有機材料蒸気発生装置、成膜源、成膜装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin film having an even thickness is formed without the necessity of use of an increased film deposition rate. An organic material (48) is fed from a feeder (40) to a vaporization chamber (20a) and vaporized on a vaporization surface (28) of a vaporizer (24). During this operation, a heating filter (32) disposed beforehand is heated and a carrier gas is passed through this filter, heated thereby, and introduced into the vaporization chamber (20a). The resultant vapor of the organic material is mixed with the carrier gas, and this gas mixture is introduced into a discharger (70). In case where the organic-material vapor only is introduced into the discharger (70), a molecular flow occurs in the discharger (70). However, since the pressure inside the discharger (70) has been increased by the carrier gas, a viscous flow is formed. Thus, the gas mixture fills the inside of the discharger (70) and is evenly discharged therefrom. It is preferable that the organic material be fed little by little so as not to make the film deposition rate too high.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant la formation d'un film mince présentant une épaisseur uniforme sans avoir recours à un taux de déposition de film accru. Un matériau organique (48) est alimenté à partir d'un appareil d'alimentation (40) vers une enceinte de vaporisation (20a) et est vaporisé sur une surface de vaporisation (28) d'un vaporiseur (24). Lors de cette opération, un filtre de chauffage (32) disposé préalablement est réchauffé et un gaz vecteur est circulé à travers ce filtre, réchauffé par celui-ci, et introduit dans l'enceinte de vaporisation (20a). La vapeur obtenue du matériau organique est mélangé avec le gaz vecteur, et ce mélange gazeux est introduite dans un déchargeur (70) Dans le cas où seule la vapeur de matériau organique est introduit dans le déchargeur (70), un écoulement moléculaire de pression se produit dans le déchargeur (70). Cependant, étant donné que la pression dans le déchargeur (70) à été augmentée par le gaz vecteur, un écoulement visqueux se forme. Ainsi, le mélange gazeux remplit l'intérieur du déchargeur (70) et est déchargé de manière uniforme à partir de celui-ci. Le matériau organique est, de préférence, alimenté graduellement de manière à ne pas entraîner un taux de déposition de film trop élevé.
(JA) 成膜速度を速くしなくても均一な膜厚の薄膜を形成する。供給装置40から蒸発室20aに有機材料48を供給し、蒸発装置24の蒸発面28上で蒸発させる際に、予め設けられた加熱フィルタ32を加熱し、その中にキャリアガスを流して加熱し、蒸発室20a内に導入する。生成された有機材料蒸気とキャリアガスが混合され、混合ガスが放出装置70内に導入される。有機材料蒸気だけが放出装置70内に導入される場合は、放出装置70内で分子流が形成されてしまうが、キャリアガスによって放出装置70内の圧力が上昇しているので粘性流が形成され、混合ガスは放出装置70内に充満し、均一に放出される。有機材料は少量ずつ供給し、成膜速度が速く成りすぎないようにするとよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)