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1. (WO2009034687) APPAREIL DE STOCKAGE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DE DONNÉES DANS L'APPAREIL DE STOCKAGE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/034687    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/002291
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 25.08.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.06.2009    
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
KATOH, Yoshikazu; (US Seulement).
SHIMAKAWA, Kazuhiko; (US Seulement)
Inventeurs : KATOH, Yoshikazu; .
SHIMAKAWA, Kazuhiko;
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg. 123-1 Higashimachi, Chuo-ku Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-233804 10.09.2007 JP
Titre (EN) NONVOLATILE STORAGE APPARATUS AND METHOD FOR WRITING DATA INTO NONVOLATILE STORAGE APPARATUS
(FR) APPAREIL DE STOCKAGE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DE DONNÉES DANS L'APPAREIL DE STOCKAGE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置へのデータ書込方法
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile storage apparatus (300) having a memory cell array that comprises a plurality of resistance-changeable elements each of which transitions from one of a plurality of resistance states to another in response to an electric pulse of the same polarity. A series-resistor setting unit (310) is disposed between a memory cell array (70) and an electric pulse applying device (50). The series-resistor setting unit is controlled, thereby varying, with time, the resistance value of a series current path within a predetermined range at least either when a selected resistance-changeable element is caused to change from a low resistance state to a high resistance state or when the selected resistance-changeable element is caused to change from the high resistance state to the low resistance state.
(FR)L'invention concerne un appareil de stockage non volatile (300) présentant un réseau de cellules de mémoire qui comprend une pluralité d'éléments à résistance variable, chacun d'eux passant d'un état d'une pluralité d'états de résistance à un autre en réponse à une impulsion électrique de polarité identique. Une unité de réglage de résistances en série (310) est disposée entre un réseau de cellules de mémoire (70) et un dispositif d'application d'impulsions électriques (50). L'unité de réglage de résistances en série est commandée de façon à modifier, avec le temps, la valeur de résistance d'un trajet de courant en série dans une plage prédéterminée, au moins soit lorsqu'un élément à résistance variable sélectionné est amené à passer d'un état de faible résistance à un état de résistance élevée, soit lorsque l'élément à résistance variable sélectionné est amené à passer de l'état de résistance élevée à l'état de faible résistance.
(JA) 同一極性の電気パルスで複数の抵抗状態の間を遷移する抵抗変化型素子を複数備えたメモリセルアレイを有する不揮発性記憶装置(300)。メモリセルアレイ(70)と電気パルス印加装置(50)との間に直列抵抗設定器(310)を設け、直列抵抗設定器を制御することにより、選択された抵抗変化型素子を低抵抗状態から高抵抗状態へと変化させる時および高抵抗状態から低抵抗状態へと変化させる時の少なくとも一方において、直列電流経路の抵抗値を所定の範囲で時間と共に変化させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)