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1. (WO2009034603) MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/034603    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/001007
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 14.09.2007
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (Tous Sauf US).
FUKUSHI, Isao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKUSHI, Isao; (JP)
Mandataire : FURUYA, Fumio; Dai2 Meiho Bldg. 9th Floor 19-5, Nishishinjuku 1-Chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体メモリ
Abrégé : front page image
(EN)A regular capacitor is saturated by the electric charge of a regular cell memory holding a high logic level. The regular capacitor is not saturated by an electric charge from a regular memory cell holding a low logic level. A reference capacitor is saturated by an electric charge from a reference memory cell holding the high logic level. A differential sense amplifier amplifies the difference between a regular read-out voltage read out from the regular capacitor and a voltage lower by a first voltage than the reference read-out voltage which is a saturated voltage read out from a reference capacitor, and generates the logic of the data held in thememory cell. Variations in a reference voltage and a read-out voltage corresponding to the high logic level can be reduced even in the case where the characteristic of the capacitor of the memory cell varies. Thus, the difference between the reference voltage and a read-out voltage corresponding to the low logic level can be relatively increased. As a result, the read-out margin can be improved.
(FR)Un condensateur normal est saturé par la charge électrique d'une mémoire à cellule normale accueillant un niveau logique élevé. Le condensateur normal n'est pas saturé par une charge électrique venant d'une cellule de mémoire normale accueillant un niveau logique bas. Un condensateur de référence est saturé par une charge électrique venant d'une cellule de mémoire de référence accueillant le niveau logique élevé. Un amplificateur de détection de différence amplifie la différence entre une tension de lecture normale lue à partir du condensateur normal et une tension plus basse d'une première tension qu'une tension de lecture de référence qui est une tension saturée lue à partir du condensateur de référence, et génère la logique de données conservées dans la cellule de mémoire. Les variations de tension de référence et de tension de lecture correspondant au niveau logique élevé peuvent être réduites, même dans le cas où la caractéristique du condensateur de la cellule de mémoire varie. Ainsi, une différence entre la tension de référence et une tension de lecture correspondant au niveau logique bas peut être relativement augmentée. En résultat, une marge de lecture peut être améliorée.
(JA) レギュラーキャパシタは、高論理レベルを保持するレギュラーメモリセルの電荷により飽和され、低論理レベルを保持するレギュラーメモリセルからの電荷では飽和されない。リファレンスキャパシタは、高論理レベルを保持するリファレンスメモリセルからの電荷により飽和される。差動センスアンプは、レギュラーキャパシタから読み出されるレギュラー読み出し電圧と、リファレンスキャパシタから読み出される飽和電圧であるリファレンス読み出し電圧より第1電圧だけ低い電圧との差を差動増幅し、メモリセルに保持されていたデータの論理を生成する。メモリセルのキャパシタの特性がばらつく場合にも、リファレンス電圧および高論理レベルに対応する読み出し電圧のばらつきを小さくできる。これにより、リファレンス電圧と低論理レベルに対応する読み出し電圧との差を相対的に大きくできる。この結果、読み出しマージンを向上できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)