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1. (WO2009033629) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MESURE DE DURÉE DE VIE DE PORTEURS DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/033629    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/007340
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 08.09.2008
CIB :
G01R 31/265 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Chemin des Franques, Parc Technologique des Fontaines, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
ALLIBERT, Frederic [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
KONONCHUK, Oleg [RU/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : ALLIBERT, Frederic; (FR).
KONONCHUK, Oleg; (FR)
Mandataire : BERTRAM, Rainer; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, Leopoldstrasse 4, 80802 München (DE)
Données relatives à la priorité :
07291091.2 11.09.2007 EP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING A LIFETIME OF CHARGE CARRIERS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MESURE DE DURÉE DE VIE DE PORTEURS DE CHARGE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for measuring a lifetime of charge carriers comprises a measuring probe comprising means for directing ultraviolet radiation to a measuring position. The measuring probe further comprises at least one electrode provided at a predetermined spatial relationship to the measuring position. The apparatus further comprises a microwave source adapted to direct microwave radiation to the measuring position, a microwave detector adapted to measure an alteration of an intensity of microwave radiation reflected at the measuring position in response to the ultraviolet radiation and a semiconductor structure holder adapted to receive a semiconductor structure and to provide an electric contact to a portion of the semiconductor structure. Additionally, means for moving the substrate holder relative to the measuring probe for positioning at least one portion of the semiconductor structure at the measuring position are provided. The apparatus further comprises a power source adapted to apply a bias voltage between the semiconductor structure holder and the electrode.
(FR)L'invention porte sur un appareil de mesurer de durée de vie de porteurs de charge. L'appareil comporte une sonde de mesure comprenant des moyens pour diriger un rayonnement ultraviolet vers une position de mesure. La sonde de mesure comprend également au moins une électrode disposée pour avoir une relation spatiale prédéterminée par rapport à la position de mesure. L'appareil comprend aussi une source d'hyperfréquences apte à diriger un rayonnement hyperfréquence vers la position de mesure ; un détecteur d'hyperfréquences apte à mesurer l'altération de l'intensité du rayonnement hyperfréquence réfléchi à la position de mesure en réponse au rayonnement ultraviolet ; et un support de structure à semi-conducteurs apte à recevoir une structure à semi-conducteurs et à produire un contact électrique avec une partie de la structure à semi-conducteurs. De plus, des moyens pour déplacer le support de substrat par rapport à la sonde de mesure et positionner au moins une partie de la structure à semi-conducteurs à la position de mesure sont prévus. L'appareil comprend aussi une source d'alimentation apte à appliquer une tension de polarisation entre le support de structure à semi-conducteurs et l'électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)