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1. (WO2009033014) AJUSTEMENT DE FENÊTRE DE CONVERSION ANALOGIQUE-NUMÉRIQUE ET NUMÉRIQUE-ANALOGIQUE BASÉ SUR DES CELLULES DE RÉFÉRENCE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/033014    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/075389
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 05.09.2008
CIB :
G11C 16/06 (2006.01), G11C 16/00 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
SARIN, Vishal [US/US]; (US) (US Seulement).
HOEI, Jung-sheng [US/US]; (US) (US Seulement).
ROOHPARVAR, Frankie, F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SARIN, Vishal; (US).
HOEI, Jung-sheng; (US).
ROOHPARVAR, Frankie, F.; (US)
Mandataire : MYRUM, Tod, A.; Leffert Jay & Polglaze, P.A., P.O. Box 581009, Minneapolis, MN 55458-1009 (US)
Données relatives à la priorité :
11/851,649 07.09.2007 US
Titre (EN) ANALOG-TO-DIGITAL AND DIGITAL-TO-ANALOG CONVERSION WINDOW ADJUSTMENT BASED ON REFERENCE CELLS IN A MEMORY DEVICE
(FR) AJUSTEMENT DE FENÊTRE DE CONVERSION ANALOGIQUE-NUMÉRIQUE ET NUMÉRIQUE-ANALOGIQUE BASÉ SUR DES CELLULES DE RÉFÉRENCE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)An analog-to-digital conversion window is defined by reference voltages stored in reference memory cells of a memory device. A first reference voltage is read to define an upper limit of the conversion window and a second reference voltage is read to define a lower limit of the conversion window. An analog voltage representing a digital bit pattern is read from a memory cell and converted to the digital bit pattern by an analog-to-digital conversion process using the conversion window as the limits for the sampling process. This scheme helps in real time tracking of the ADC window with changes in the program window of the memory array.
(FR)La présente invention concerne une fenêtre de conversion analogique-numérique définie par des tensions de référence stockées dans des cellules de mémoire de référence d'un dispositif de mémoire. Une première tension de référence est lue pour définir une limite supérieure de la fenêtre de conversion et une seconde tension de référence est lue pour définir une limite inférieure de la fenêtre de conversion. Une tension analogique représentant un motif de bit numérique est lue à partir d'une cellule de mémoire et convertie dans le motif de bit numérique par un processus de conversion analogique-numérique en utilisant la fenêtre de conversion comme les limites pour le processus d'échantillonnage. Ce schéma aide le suivi en temps réel de la fenêtre ADC avec des changements dans la fenêtre de programme du réseau de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)