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1. (WO2009032891) AUTO-CALIBRAGE D'UN CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE POUR SUPPRIMER UNE INFLUENCE SYSTÉMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/032891    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/075203
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 04.09.2008
CIB :
G11C 16/06 (2006.01), G11C 29/00 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Ms 525, Boise, Idaho 83716 (US) (Tous Sauf US).
ROOHPARVAR, Frankie [US/US]; (US) (US Seulement).
SARIN, Vishal [US/US]; (US) (US Seulement).
HOEI, Jung S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ROOHPARVAR, Frankie; (US).
SARIN, Vishal; (US).
HOEI, Jung S.; (US)
Mandataire : BOLVIN, Kenneth, W.; Leffert Jay & Polglaze, P.A., P.O. Box 581009, Minneapolis, Minnesota 55458-1009 (US)
Données relatives à la priorité :
11/851,439 07.09.2007 US
Titre (EN) MEMORY CONTROLLER SELF-CALIBRATION FOR REMOVING SYSTEMIC INFLUENCE
(FR) AUTO-CALIBRAGE D'UN CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE POUR SUPPRIMER UNE INFLUENCE SYSTÉMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Self-calibration for a memory controller is performed by writing a voltage to a selected cell. Adjacent cells around the selected cell are programmed. After each of the adjacent programming operations, the voltage on the selected cell is read to determine any change in voltage caused by systemic offsets such as, for example, floating gate-to-floating gate coupling. These changes are averaged and stored in a table as an offset for use in adjusting a programming voltage or a read voltage in a particular area of memory represented by the offset. Self calibration method for temperature is determined by writing cells at different temperatures and reading at different temperatures to generate temperature offset tables for the write path and read path. These offset tables are used to adjust for systematic temperature related offsets during programming and during read.
(FR)Un auto-calibrage pour un contrôleur de mémoire est effectué en écrivant une tension dans une cellule sélectionnée. Des cellules adjacentes autour de la cellule sélectionnée sont programmées. Après chacune des opérations de programmation des cellules adjacentes, la tension sur la cellule sélectionnée est lue afin de déterminer un changement de la tension dû à des décalages systémiques tels que, par exemple, un couplage de porte flottante à porte flottante. On calcule la moyenne de ces changements et ont la stocke dans une table en tant que décalage à utiliser pour ajuster une tension de programmation ou une tension de lecture dans une zone particulière de la mémoire représentée par le décalage. Le procédé d'auto-calibrage pour la température est déterminé en écrivant des cellules à différentes températures et en les lisant à différentes températures afin de générer des tables de décalage pour le chemin d'écriture et de lecture. Ces tables de décalage sont utilisées pour ajuster des décalages relatifs à la température systémique durant la programmation et durant la lecture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)