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1. (WO2009032819) PROCÉDÉ POUR TRAITER UN FLUX GAZEUX CONTENANT DU TÉTRAFLUORURE DE SILICIUM ET DU CHLORURE D'HYDROGÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/032819    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/075048
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 02.09.2008
CIB :
B01D 53/40 (2006.01), B01D 53/68 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive St. Peters, Missouri 63376 (US) (Tous Sauf US).
REVANKAR, Vithal [IN/US]; (US) (US Seulement).
IBRAHIM, Jameel [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : REVANKAR, Vithal; (US).
IBRAHIM, Jameel; (US)
Mandataire : SCHUTH, Richard A.; Armstrong Teasdale, LLP One Metropolitan Square 26th Floor St. Louis, Missouri 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/969,836 04.09.2007 US
Titre (EN) METHOD FOR TREATMENT OF A GAS STREAM CONTAINING SILICON TETRAFLUORIDE AND HYDROGEN CHLORIDE
(FR) PROCÉDÉ POUR TRAITER UN FLUX GAZEUX CONTENANT DU TÉTRAFLUORURE DE SILICIUM ET DU CHLORURE D'HYDROGÈNE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a method for treatment of a gas stream comprising silicon tetrafluoride and hydrogen chloride. For example, the present invention is directed to a method for treatment of such a gas stream that involves contacting the gas stream with a metal that reacts with the hydrogen chloride to provide a treated gas stream having reduced hydrogen chloride content. The present invention is further directed to methods for subjecting silicon tetrafluoride and hydrogen chloride-containing gas streams to elevated pressure to provide gas streams suitable for transport.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour traiter un flux gazeux comprenant du tétrafluorure de silicium et du chlorure d'hydrogène. Par exemple, la présente invention concerne un procédé pour traiter un flux gazeux impliquant la mise en contact du flux gazeux avec un métal réagissant avec le chlorure d'hydrogène, pour fournir un flux gazeux traité à teneur réduite en chlorure d'hydrogène. La présente invention concerne en outre des procédés pour soumettre des flux gazeux contenant du tétrafluorure de silicium et du chlorure d'hydrogène à une forte pression, afin de fournir des flux gazeux adaptés au transport.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)