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1. (WO2009032620) NITRURE SACRIFICIEL ET REMPLACEMENT DE GRILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/032620    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/074291
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 26.08.2008
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : LEE, Chungho [KR/US]; (US).
CHANG, Kuo-tung [US/US]; (US).
KINOSHITA, Hiroyuki [US/US]; (US).
WU, Huaqiang [CN/US]; (US).
CHEUNG, Fred [US/US]; (US).
SPANSION LLC [US/US]; 915 DeGuigne Drive, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : LEE, Chungho; (US).
CHANG, Kuo-tung; (US).
KINOSHITA, Hiroyuki; (US).
WU, Huaqiang; (US).
CHEUNG, Fred; (US)
Mandataire : TUROCY, Gregory; Amin, Turocy & Calvin, LLP, 24th Floor, 1900 East 9th Street, Cleveland, OH 44114 (US)
Données relatives à la priorité :
11/847,507 30.08.2007 US
Titre (EN) SACRIFICIAL NITRIDE AND GATE REPLACEMENT
(FR) NITRURE SACRIFICIEL ET REMPLACEMENT DE GRILLE
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming a top oxide around a charge storage material layer of a memory cell and methods of improving quality of a top oxide around a charge storage material layer of a memory cell are provided. The method can involve providing a charge storage layer on a semiconductor substrate, a nitride layer on the charge storage layer, and a first poly layer on the nitride layer, and converting at least a portion of the nitride layer to a top oxide. By converting at least a portion of a nitride layer to a top oxide layer, the quality of the resultant top oxide layer can be improved.
(FR)L'invention concerne des procédés de formation d'un oxyde de surface autour d'une couche de matériau de stockage de charge d'une cellule mémoire et des procédés pour améliorer la qualité d'un oxyde de surface autour d'une couche de matériau de stockage de charge d'une cellule mémoire. Le procédé peut impliquer le dépôt d'une couche de stockage de charge sur un substrat semi-conducteur, d'une couche de nitrure sur la couche de stockage de charge, et d'une première couche de poly sur la couche de nitrure, et la conversion d'au moins une portion de la couche de nitrure en un oxyde de surface. En convertissant au moins une portion de la couche de nitrure en une couche d'oxyde de surface, la qualité de la couche d'oxyde de surface obtenue peut être améliorée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)