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1. (WO2009032539) ENSEMBLES SEMI-CONDUCTEURS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/032539    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/073878
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 21.08.2008
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
CHUA, Swee, Kwang [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
BOON, Suan, Jeung [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
CHIA, Yong, Poo [SG/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : CHUA, Swee, Kwang; (SG).
BOON, Suan, Jeung; (SG).
CHIA, Yong, Poo; (SG)
Mandataire : PILLING, Cameron, B.; Perkins Coie LLP, P.O. Box 1247, Seattle, WA 98111-1247 (US)
Données relatives à la priorité :
200706296-1 28.08.2007 SG
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES AND METHODS OF MANUFACTURING SUCH ASSEMBLIES
(FR) ENSEMBLES SEMI-CONDUCTEURS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor devices and assemblies including interconnects and methods for forming such interconnects are disclosed herein. One embodiment of a method of manufacturing a semiconductor device includes forming a plurality of first side trenches (210) to an intermediate depth in a molded portion of a molded wafer (110) having a plurality of dies (106) arranged in rows and columns. The method also includes removing material from a second side (220) of the molded portion at areas aligned with the first side trenches, wherein removing the material forms openings (224) through the molded portion. The method further includes forming a plurality of electrical contacts at the second side of the molded portion at the openings and electrically connecting the second side contacts to corresponding bond-sites (109) on the dies.
(FR)L'invention porte sur des dispositifs semi-conducteurs et sur des ensembles comprenant des interconnexions et sur des procédés pour former de telles interconnexions. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprend la formation d'une pluralité de tranchées de premier côté à une profondeur intermédiaire dans une partie moulée d'une tranche moulée comportant une pluralité de puces agencées en rangées et colonnes. Le procédé comprend également le retrait d'un matériau d'un second côté de la partie moulée au niveau de zones alignées avec les tranchées de premier côté, le retrait du matériau formant des ouvertures à travers la partie moulée. Le procédé comprend en outre la formation d'une pluralité de contacts électriques au niveau du second côté de la partie moulée au niveau des ouvertures et la connexion électrique des contacts de second côté à des sites de liaison correspondants sur les puces.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)