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1. (WO2009032531) SCHÉMA DE DÉTECTION D'ÉCONOMIE D'ÉNERGIE POUR UNE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/032531    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/073696
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 20.08.2008
CIB :
G06F 12/00 (2006.01), G11C 11/00 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707 (US) (Tous Sauf US).
JUNG, Chulmin [KR/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Kang, Yong [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JUNG, Chulmin; (US).
KIM, Kang, Yong; (US)
Mandataire : ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP, 14th Floor, 2040 Main Street, Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
11/847,559 30.08.2007 US
Titre (EN) POWER SAVING SENSING SCHEME FOR SOLID STATE MEMORY
(FR) SCHÉMA DE DÉTECTION D'ÉCONOMIE D'ÉNERGIE POUR UNE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus are disclosed, such as those involving a solid state memory device (200). One such method includes selecting a plurality of memory cells in a memory array (202). States of a plurality of data bits stored in the selected plurality of memory cells are determined. In determining the states of the plurality of data bits, a portion of the plurality of data bits are sensed faster than others. The plurality of data bits are sequentially provided as an output. In one embodiment, the portion of the plurality of data bits includes the first bit of the sequential output of the memory device.
(FR)La présente invention concerne des procédés et un appareil, tels que ceux impliquant un dispositif de mémoire à semi-conducteurs (200). Un tel procédé comprend la sélection d'une pluralité de cellules de mémoire dans un réseau de mémoires (202). Des états d'une pluralité de bits de données stockés dans la pluralité sélectionnée de cellules de mémoire sont déterminés. Lors de la détermination des états de la pluralité de bits de données, une partie de la pluralité de bits de données est détectée plus rapidement que le reste. La pluralité de bits de données est fournie séquentiellement sous forme de sortie. Dans un mode de réalisation, la partie de la pluralité de bits de données comprend le premier bit de la sortie séquentielle du dispositif de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)