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1. (WO2009031585) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/031585    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065893
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 03.09.2008
CIB :
A61B 6/03 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/367 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K. K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
KYUSHIMA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORI, Harumichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAWADA, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJITA, Kazuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KYUSHIMA, Ryuji; (JP).
MORI, Harumichi; (JP).
SAWADA, Junichi; (JP).
FUJITA, Kazuki; (JP).
HONDA, Masahiko; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-230538 05.09.2007 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state imaging device (1) is provided with a light receiving section (10), a signal readout section (20), a control section (30) and a correction processing section (40). In the light receiving section (10), M×N pixel sections (P1,1-PM,N), which include a photodiode generating charges of a quantity corresponding to incoming light intensity, and a readout switch connected to the photodiode, are two-dimensionally arranged in M rows and N columns. The charges generated at each pixel section (Pm,n)are inputted to an integration circuit (Sn) through a readout wiring (LO,n), and a voltage value outputted from the integration circuit (Sn) corresponding to the charge quantity is outputted to an output wiring (Lout) through a holding circuit (Hn). In a correction processing section (40), correction processing is performed for each of frame data repeatedly outputted from a signal readout section (20), and the frame data after the correction processing is outputted.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur (1) qui comprend une section de réception de lumière (10), une section de lecture de signal (20), une section de commande (30) et une section de traitement de correction (40). Dans la section de réception de lumière (10), MxN sections de pixel (P1,1-PM,N), qui comprennent une photodiode générant des charges d'une quantité correspondant à l'intensité de la lumière incidente, et un commutateur de lecture connecté à la photodiode, sont agencés en deux dimensions en M rangées et N colonnes. Les charges générées au niveau de chaque section de pixel (Pm,n) sont appliquées à un circuit d'intégration (Sn) par l'intermédiaire d'un câblage de lecture (Lo,n), et une valeur de tension délivrée par le circuit d'intégration (Sn) correspondant à la quantité de charge est délivrée à un câblage de sortie (Lout) par l'intermédiaire d'un circuit de maintien (Hn). Dans une section de traitement de correction (40), un traitement de correction est effectué pour chaque donnée de trame délivrée de façon répétée par une section de lecture de signal (20), et les données de trame après le traitement de correction sont délivrées en sortie.
(JA) 固体撮像装置1は、受光部10、信号読出部20、制御部30および補正処理部40を備える。受光部10では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むM×N個の画素部P1,1~PM,Nが、M行N列に2次元配列されている。各画素部Pm,nで発生した電荷は読出用配線LO,nを通って積分回路Sに入力され、その電荷量に応じて積分回路Sから出力された電圧値は保持回路Hを経て出力用配線Loutへ出力される。補正処理部40では、信号読出部20から繰り返し出力される各フレームデータについて補正処理が行われ、その補正処理後のフレームデータが出力される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)