WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009031582) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/031582    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065870
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 03.09.2008
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
ZAMA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIKAWA, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KADOTA, Takumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASEGAWA, Chihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ZAMA, Hideaki; (JP).
ISHIKAWA, Michio; (JP).
KADOTA, Takumi; (JP).
HASEGAWA, Chihiro; (JP)
Mandataire : ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-228059 03.09.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device which is decreased in resistance of a copper wiring containing a ruthenium-containing film and a copper-containing film, thereby having improved reliability. Also disclosed is an apparatus for manufacturing a semiconductor device. Specifically, an Ru film is formed on a substrate having a recessed portion by a CVD method using a raw material containing an organic ruthenium complex represented by the general formula (1) and a reducing gas (step S12). Then, a Cu film is formed on the Ru film by a CVD method using a raw material containing an organic copper complex represented by the general formula (2) and a reducing gas, thereby forming a copper wiring containing the Ru film and the Cu film in the recessed portion (step S14).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui est réduit en résistance d'un câblage en cuivre contenant un film contenant du ruthénium et un film contenant du cuivre, ayant ainsi une meilleure fiabilité. L'invention décrit aussi un appareil pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Spécifiquement, un film Ru est formé sur un substrat ayant une partie renfoncée par un procédé CVD utilisant une matière première contenant un complexe de ruthénium organique représenté par la formule générale (1) et un gaz réducteur (étape S12). Ensuite, un film Cu est formé sur le film Ru par un procédé CVD utilisant une matière première contenant un complexe de cuivre organique représenté par la formule générale (2) et un gaz réducteur, formant ainsi un câblage de cuivre contenant le film Ru et le film Cu dans la partie renfoncée (étape S14).
(JA)ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。一般式(1)で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるCVD法によって、凹部が形成された基板の上にRu膜を形成する(ステップS12)。そして、一般式(2)で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるCVD法によって、Ru膜の上にCu膜を形成し、凹部にRu膜とCu膜とを含む銅配線を形成する(ステップS14)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)