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1. (WO2009031566) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'ALIMENTATION EN GAZ DANS UN APPAREIL DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE, STRUCTURE D'ALIMENTATION EN GAZ DANS UN APPAREIL DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET APPAREIL DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/031566    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065836
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 03.09.2008
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : CREATIVE TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; Koujimachi YK Bldg 5F, 1-8-14, Koujimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP) (Tous Sauf US).
MIYASHITA, Kinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYASHITA, Kinya; (JP).
WATANABE, Yoshihiro; (JP)
Mandataire : SASAKI, Kazuya; 5th Floor, TKK Nishishinbashi Bldg. 11-5, Nishi-shinbashi 2-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-262714 06.09.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING GAS SUPPLY STRUCTURE IN ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS, GAS SUPPLY STRUCTURE IN ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS, AND ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'ALIMENTATION EN GAZ DANS UN APPAREIL DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE, STRUCTURE D'ALIMENTATION EN GAZ DANS UN APPAREIL DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET APPAREIL DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック装置におけるガス供給構造の製造方法及び静電チャック装置ガス供給構造並びに静電チャック装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a gas supply structure, which eliminates contamination due to nonuniform cooling gas jetting quantities and deposition of a thermally splaying material and the like, in an electrostatic chuck apparatus having an electrostatic chuck on the upper surface side of a metal base (1). The method for manufacturing the gas supply structure is provided for supplying a cooling gas supplied from the lower surface side of the metal base (1) to the rear surface of a substrate (W) attracted to the side of an upper insulating layer (6), through a gas supply path (3) provided on the metal base (1). Prior to a step of forming a lower insulating layer (4) by thermally spraying a ceramic powder on the upper surface side of the metal base (1), a step of forming an attracting electrode (5), and a step of forming the upper insulating layer (6), a gas supply path outlet (3a) on the upper surface side of the metal base (1) is covered with an adhesive (8), which contains a filling material composed of a material same as that of the ceramic powder used for forming the lower insulating layer (4), then, a hole is opened toward the gas supply path outlet (3a) of the metal base (1) after forming the upper insulating layer (6), and a through hole (9) reaching the gas supply path (3) is formed.
(FR)L'invention propose un procédé de fabrication d'une structure d'alimentation en gaz qui élimine une contamination due à des quantités de jet de gaz de refroidissement non uniformes et au dépôt d'un matériau thermiquement pulvérisé et autres, dans un appareil de mandrin électrostatique ayant un mandrin électrostatique sur le côté de surface supérieure d'une base métallique (1). Le procédé de fabrication de la structure d'alimentation en gaz est prévu pour l'alimentation d'un gaz de refroidissement amené à partir du côté de surface inférieure de la base métallique (1) jusqu'à la surface arrière d'un substrat (W) attiré vers le côté d'une couche isolante supérieure (6), par un trajet d'alimentation en gaz (3) disposé sur la base métallique (1). Avant l'étape de fabrication d'une couche isolante inférieure (4) par pulvérisation thermique d'une poudre céramique sur le côté de surface supérieure de la base métallique (1), l'étape de fabrication d'une électrode attractive (5) et l'étape de fabrication de la couche isolante supérieure (6), un orifice de sortie de trajet d'alimentation en gaz (3a) sur le côté de surface supérieure de la base métallique (1) est recouvert d'un adhésif (8) qui contient un matériau de remplissage composé d'un matériau identique à celui de la poudre céramique utilisée pour former la couche isolante inférieure (4), puis un trou est ouvert vers l'orifice de sortie de trajet d'alimentation en gaz (3a) de la base métallique (1) après la fabrication de la couche isolante supérieure (6), et un trou traversant (9) atteignant le trajet d'alimentation en gaz (3) est formé.
(JA) 金属基盤(1)の上面側に静電チャックを備えた静電チャック装置において、冷却ガス噴出し量の不均一化や溶射材料等の堆積による汚染化を防ぐことができるガス供給構造の製造方法を提供する。 金属基盤(1)の下面側から供給された冷却ガスを、金属基盤(1)が備えるガス供給経路(3)を通じて上部絶縁層(6)側に吸着させた基板(W)の裏面に供給するためのガス供給構造の製造方法であり、金属基盤(1)の上面側にセラミックス粉末を溶射して下部絶縁層(4)を形成する工程、吸着電極(5)を形成する工程、及び上部絶縁層(6)を形成する工程に先駆けて、下部絶縁層(4)の形成に用いるセラミックス粉末と同じ材料からなる充填材を含んだ接着剤(8)で金属基盤(1)の上面側のガス供給経路出口(3a)を塞ぎ、上部絶縁層(6)の形成後に金属基盤(1)のガス供給経路出口(3a)に向けて孔を開け、ガス供給経路(3)に通ずる貫通孔(9)を形成するガス供給構造の製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)