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1. (WO2009031525) STRUCTURE DE NANOTUBE DE CARBONE ET TRANSISTOR À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/031525    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065745
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 02.09.2008
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
ENDOH, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOGUCHI, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NUMATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ENDOH, Hiroyuki; (JP).
TOGUCHI, Satoru; (JP).
NUMATA, Hideaki; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-232603 07.09.2007 JP
Titre (EN) CARBON NANOTUBE STRUCTURE, AND THIN FILM TRANSISTOR
(FR) STRUCTURE DE NANOTUBE DE CARBONE ET TRANSISTOR À FILM MINCE
(JA) カーボンナノチューブ構造物及び薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)In the production of an electronic element using a carbon nanotube (CNT), particularly in the formation of a carbon nanotube thin film on an previously formed electrode, the film of the CNT is formed on the previously formed electrode and the resulting product is used as the electronic element without any further treatment. In this case, there is a problem that the contact resistance becomes large if the carbon nanotube is not contacted with the electrode sufficiently and therefore satisfactory element properties cannot be achieved. Thus, in the formation of a carbon nanotube thin film on an previously formed electrode, the contact resistance can be reduced by forming an electrically conductive organic polymer thin film before or after the formation of the carbon nanotube film.
(FR)Dans la fabrication d'un élément électronique à l'aide d'un nanotube de carbone (CNT), particulièrement dans la formation d'un film mince de nanotube de carbone sur une électrode formée auparavant, le film du CNT est formé sur l'électrode formée auparavant et le produit résultant est utilisé en tant qu'élément électronique sans aucun traitement supplémentaire. Dans ce cas, il existe un problème : la résistance de contact devient importante si le nanotube de carbone n'est pas suffisamment en contact avec l'électrode, et donc, des propriétés d'élément satisfaisantes ne peuvent être obtenues. Ainsi, selon l'invention, dans la formation d'un film mince de nanotube de carbone sur une électrode formée auparavant, la résistance de contact peut être réduite en formant un film mince de polymère organique électriquement conducteur avant ou après la formation du film de nanotube de carbone.
(JA) カーボンナノチューブ(CNT)を用いた電子素子を作製する場合、特に先に形成された電極上にカーボンナノチューブ薄膜を形成する場合、先に形成された電極の上にCNTを製膜しそのまま電子素子として利用している。この場合、カーボンナノチューブと電極が充分に接触しないと接触抵抗が大きくなり充分な素子特性が得られないという課題がある。先に形成された電極上にカーボンナノチューブ薄膜を形成する際、カーボンナノチューブの製膜前、若しくは製膜後に導電性有機高分子薄膜を形成し、接触抵抗を小さくする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)