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1. (WO2009031423) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN FILM MINCE MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES L'UTILISANT

Pub. No.:    WO/2009/031423    International Application No.:    PCT/JP2008/065097
Publication Date: 12 mars 2009 International Filing Date: 25 août 2008
IPC: H01L 21/31
C01G 15/00
C23C 16/40
H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: Konica Minolta Holdings, Inc.
コニカミノルタホールディングス株式会社
HIRAI, Katsura
平井 桂
KITA, Hiroshi
北 弘志
FUKUDA, Kazuhiro
福田 和浩
Inventors: HIRAI, Katsura
平井 桂
KITA, Hiroshi
北 弘志
FUKUDA, Kazuhiro
福田 和浩
Title: PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN FILM MINCE MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES L'UTILISANT
Abstract:
L'invention concerne une structure métal-oxyde-semi-conducteur ayant une grande mobilité des porteurs et une bonne stabilité. L'invention concerne aussi un procédé pour produire une structure métal-oxyde-semi-conducteur avec un rendement de production amélioré, et un transistor à couches minces (TFT) qui fonctionne de façon stable en utilisant une structure métal-oxyde-semi-conducteur. Particulièrement, un film mince métal-oxyde-semi-conducteur est formé sur un substrat par la production d'une décharge plasma d'un mélange gazeux d'une matière première contenant un précurseur de la structure métal-oxyde-semi-conducteur et d'un gaz porteur près de la pression atmosphérique.