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1. (WO2009031001) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/031001    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/002268
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 02.09.2008
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi-ken 471-8571 (JP) (Tous Sauf US).
FUKAMI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKAMI, Takeshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-229194 04.09.2007 JP
Titre (EN) VERTICAL IGBT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device 100, a vertical IGBT, includes a collector electrode 2, a p+-type collector layer 4, an n+-type buffer layer 6, an n--type drift layer 8, a p--type body region 10, an n+-type emitter region 12, a gate electrode 18, and an emitter electrode 14. The semiconductor device 100 includes uneven portions 32 in a back surface, each of which includes a recessed portion 28 and a protrusion portion 30. A gap L2 between bottom faces of the adjacent recessed portions 28 is 70% of or smaller than a thickness L1 of the buffer layer 6. Therefore, the buffer layer 6 is continuously formed, at a certain depth from the bottom faces of the recessed portions.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100), un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) vertical, qui comprend une électrode collectrice (2), une couche collectrice de type p+ (4), une couche tampon de type n+ (6), une couche de migration de type n~ (8), une région de corps de type p~ (10), une couche émettrice de type n+ (12), une électrode grille (18), et une électrode émettrice (14). Le dispositif à semi-conducteur (100) comprend des parties irrégulières (32) dans une surface arrière, chacune desquelles comprenant une partie évidée (28) et une partie faisant saillie (30). Un écart (L2) entre des faces inférieures des parties évidées adjacentes (28) est de 70 % ou moins d'une épaisseur (L1) de la couche tampon (6). Donc, la couche tampon (6) est formée en continu, à une certaine profondeur à partir des faces inférieures des parties évidées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)