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1. (WO2009029859) NANODISQUES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE NANODISQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/029859    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/074883
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 29.08.2008
CIB :
C40B 50/18 (2006.01)
Déposants : BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS [US/US]; 201 West 7th Street, Austin, TX 78701 (US) (Tous Sauf US).
HAO, Yaowu [CN/US]; (US) (US Seulement).
CHANG, Shih-Hsin [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HAO, Yaowu; (US).
CHANG, Shih-Hsin; (US)
Mandataire : ROSENBAUN & ASSOCIATES, P.C.; 650 Dundee Road, Suite #380, Northbrook, IL 60062 (US)
Données relatives à la priorité :
60/969,471 31.08.2007 US
Titre (EN) NANODISKS AND METHODS OF FABRICATION OF NANODISKS
(FR) NANODISQUES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE NANODISQUES
Abrégé : front page image
(EN)Structures and methods for use in microarray technologies are provided. One structure includes at least two magnetic layers separated by a nonmagnetic layer. One method includes one or more of said structures in a microarray.
(FR)L'invention porte sur des structures et des procédés pour une utilisation dans des technologies à microréseau. La structure selon l'invention comporte au moins deux couches magnétiques séparées par une couche non magnétique. Le procédé selon l'invention inclut une ou plusieurs desdites structures dans un microréseau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)