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1. (WO2009029560) STRUCTURES DE BORNE D'UN IMPLANTEUR IONIQUE AYANT DES CONDUCTEURS ISOLÉS À AILETTES DIÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/029560    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/074148
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 25.08.2008
CIB :
H01J 37/00 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
TEKLETSADIK, Kasegn, D. [ET/US]; (US) (US Seulement).
HERMANSON, Eric, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
MAY, Douglas [US/US]; (US) (US Seulement).
KRAUSE, Stephen, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
LOW, Russell, J. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TEKLETSADIK, Kasegn, D.; (US).
HERMANSON, Eric, D.; (US).
MAY, Douglas; (US).
KRAUSE, Stephen, E.; (US).
LOW, Russell, J.; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
11/845,441 27.08.2007 US
Titre (EN) TERMINAL STRUCTURES OF AN ION IMPLANTER HAVING INSULATED CONDUCTORS WITH DIELECTRIC FINS
(FR) STRUCTURES DE BORNE D'UN IMPLANTEUR IONIQUE AYANT DES CONDUCTEURS ISOLÉS À AILETTES DIÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Terminal structures of an ion implanter having insulated conductors with dielectric fins are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the terminal structures of an ion implanter may be realized with insulated conductors with one or more dielectric fins. For example, the ion implanter may comprise an ion source configured to provide an ion beam. The ion implanter may also comprise a terminal structure defining a cavity, wherein the ion source may be at least partially disposed within the cavity. The ion implanter may further comprise an insulated conductor having at least one dielectric fin disposed proximate an exterior portion of the terminal structure to modify an electric field.
(FR)L'invention concerne des structures de borne d'un implanteur ionique ayant des conducteurs isolés à ailettes diélectriques. Dans un mode de réalisation particulier exemplaire, les structures de borne d'un implanteur ionique peuvent être réalisées avec des conducteurs isolés ayant une ou plusieurs ailettes diélectriques. Par exemple, l'implanteur ionique peut comprendre une source d'ions configurée pour fournir un faisceau d'ions. L'implanteur ionique peut aussi comprendre une structure de borne définissant une cavité, la source d'ions pouvant être au moins partiellement disposée à l'intérieur de la cavité. L'implanteur ionique peut comprendre en outre un conducteur isolé ayant au moins une ailette diélectrique disposée à proximité d'une partie extérieure de la structure de borne afin de modifier un champ électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)