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1. (WO2009028865) LIMITEUR DE SURTENSION DOTÉ D'UNE ÉLECTRODE LATÉRALE À ESPACE DE DÉCHARGE ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/028865    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/005014
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 27.08.2008
CIB :
H01C 8/04 (2006.01), H01C 7/10 (2006.01)
Déposants : AMOTECH CO., LTD. [KR/KR]; 5BL-1Lot, Namdong Industrial Complex, 617, Namchon-dong, Namdong-gu, Incheon, 405-846 (KR) (Tous Sauf US).
RYU, Jaesu [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Taesung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JOO, Hyuntae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Hungrok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Jaewook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HWANG, Yoonho [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HONG, Kyungpyo [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : RYU, Jaesu; (KR).
KIM, Taesung; (KR).
JOO, Hyuntae; (KR).
LEE, Hungrok; (KR).
LEE, Jaewook; (KR).
HWANG, Yoonho; (KR).
HONG, Kyungpyo; (KR)
Mandataire : HANYANG PATENT FIRM; 9F Keungil Tower, 677-25 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul, 135-914 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0085920 27.08.2007 KR
10-2008-0006801 22.01.2008 KR
10-2008-0063438 01.07.2008 KR
Titre (EN) SURGE ABSORBER WITH SIDE GAP ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) LIMITEUR DE SURTENSION DOTÉ D'UNE ÉLECTRODE LATÉRALE À ESPACE DE DÉCHARGE ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a surge absorber with a side gap electrode and a method of manufacturing the same capable of easily implementing a uniform gap to a thickness of a sheet and making operating characteristics better by forming a gap electrode at a side surface. The surge absorber includes: an element on which a plurality of sheets are stacked; a first electrode pattern having a first gap electrode unit that is formed on the sheet inside the element and is exposed to the outside of the element; and a second electrode pattern having a second gap electrode unit that is formed on the sheet inside the element and is exposed to the outside of the element, the first and second gap electrode units forming a gap to a thickness of the sheet interposed therebetween.
(FR)L'invention concerne un limiteur de surtension doté d'une électrode latérale à espace de décharge et un procédé de réalisation associé permettant de réaliser facilement un espace uniforme dans une épaisseur de feuille et d'obtenir des caractéristiques de fonctionnement supérieures à celles de l'état de la technique par création d'une électrode à espace de décharge sur une surface latérale. Le limiteur de surtension comprend : un élément sur lequel sont empilées plusieurs feuilles; un premier motif d'électrode comprenant une première unité d'électrode à espace de décharge qui est formée sur la feuille à l'intérieur de l'élément et qui est exposée à l'extérieur de l'élément; et un second motif d'électrode comprenant une seconde unité d'électrode à espace de décharge qui est formée sur la feuille à l'intérieur de l'élément et qui est exposée à l'extérieur de l'élément, ces deux unités formant un espace de décharge dans une épaisseur de la feuille qui est située entre ces deux unités.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)