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1. (WO2009028560) MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR, CELLULE SOLAIRE UTILISANT LE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ET DE LA CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/028560    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065312
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 27.08.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.05.2009    
CIB :
C01B 33/06 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Honcho, Kawaguchi-shi Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
SUEMASU, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUEMASU, Takashi; (JP)
Mandataire : NAGAHAMA, Noriaki; CENTCREST IP ATTORNEYS Kimpodo Bldg. 9th Floor 2-8-21, Kyobashi Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-223671 30.08.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL, SOLAR CELL USING THE SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND THE SOLAR CELL
(FR) MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR, CELLULE SOLAIRE UTILISANT LE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ET DE LA CELLULE SOLAIRE
(JA) 半導体材料、それを用いた太陽電池、およびそれらの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor material manufacturing method wherein at least one kind of impurity atom selected from among a group of As atom, Sb atom, Bi atom and N atom is reacted with a Ba atom and a Si atom. A solar cell provided with such semiconductor material is also provided.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur selon lequel au moins une sorte d'atome d'impureté choisie parmi un groupe d'atome d'As, atome de Sb, atome de Bi et atome de N est mise à réagir avec un atome de Ba et un atome de Si. L'invention porte également sur une cellule solaire dotée d'un tel matériau semi-conducteur.
(JA) As原子、Sb原子、Bi原子およびN原子からなる群から選択される少なくとも1種の不純物原子とBa原子とSi原子とを反応させる、半導体材料の製造方法、ならびにこの半導体材料を備える太陽電池。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)