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1. (WO2009028511) COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM DE COUCHE INFÉRIEURE DE RÉSIST POUR LITHOGRAPHIE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/028511    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065213
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 26.08.2008
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054 (JP) (Tous Sauf US).
IMAMURA, Hikaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAIDA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAJIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IMAMURA, Hikaru; (JP).
SAKAIDA, Yasushi; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP).
TAKEI, Satoshi; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office Shin-Ochanomizu Urban Trinity 2, Kandasurugadai 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-220325 27.08.2007 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR RESIST LOWER LAYER FILM FORMATION FOR LITHOGRAPHY AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM DE COUCHE INFÉRIEURE DE RÉSIST POUR LITHOGRAPHIE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a composition for resist lower layer film formation, which can be evenly coated and can suppress the occurrence of a sublimate in heat curing. There is also provided a composition for forming a resist lower layer film having a large dry etching selection ratio relative to an upper layer resist. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A composition for resist lower layer film formation for lithography, comprising a polysilane compound having a unit structure represented by formula (1) [Chemical formula 1] (1) wherein R1 and R2 each independently represent a group represented by -X-Y, wherein X represents an oxygen atom, an alkylene group having 1 to 18 carbon atoms, or -OCnH2n- wherein n is an integer of 1 to 18; and Y represents a lactone ring or an adamantane ring, or one of R1 and R2 represents a group represented by -X-Y while the other represents an aryl group, a methyl group, an ethyl group, or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms, and a composition for resist lower layer film formation for lithography, comprising an organic solvent.
(FR)L'invention vise à proposer une composition pour la formation d'un film de couche inférieure de résist, laquelle composition peut être revêtue de façon uniforme et peut supprimer l'apparition d'un sublimé lors d'un durcissement par la chaleur. L'invention vise également à proposer une composition pour former un film de couche inférieure de résist ayant un rapport de sélection de gravure sèche important par rapport à un résist de couche supérieure. A cet effet, l'invention porte sur une composition pour formation de film de couche inférieure de résist pour lithographie, comprenant un composé de polysilane ayant une structure unitaire représentée par la formule (1) [formule chimique 1] (1) dans laquelle R1 et R2 représentent chacun indépendamment un groupe représenté par -X-Y, X représentant un atome d'oxygène, un groupe alkylène ayant 10 à 18 atomes de carbone, ou -OcnH2n-, n étant un entier de 1 à 18 ; et Y représentant un cycle lactone ou un cycle adamantane, ou l'un de R1 et R2 représente un groupe représenté par -X-Y alors que l'autre représente un groupe aryle, un groupe méthyle, un groupe éthyle ou un groupe cycloalkyle ayant 3 à 6 atomes de carbone, et sur une composition pour formation de film de couche inférieure de résist pour lithographie, comprenant un solvant organique.
(JA)【課題】  均一に塗布することができ、熱硬化時に昇華物の発生が抑制される、レジスト下層膜形成組成物を得ることを目的とする。更に、上層のレジストに対するドライエッチングの選択比が大きいレジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。 【解決手段】  下記式(1) 【化1】 [式中、  R1及びR2は、互いに独立して、-X-Y[式中、Xは、酸素原子、炭素原子数1ないし18のアルキレン基又は-OCn2n-(式中、nは1ないし18の整数を表す。)で表される基を表し、Yは、ラクトン環又はアダマンタン環を表す。]で表される基を表すか、又は、  R1及びR2の一方は前記-X-Yで表される基を表し、他方はアリール基、メチル基、エチル基又は炭素原子数3ないし6の環状アルキル基を表す。]で表される単位構造を有するポリシラン化合物、及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)