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1. (WO2009028492) DISPOSITIF À FORCE PHOTOÉLECTROMOTRICE

Pub. No.:    WO/2009/028492    International Application No.:    PCT/JP2008/065180
Publication Date: 5 mars 2009 International Filing Date: 26 août 2008
IPC: H01L 31/04
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
トヨタ自動車株式会社
TAKEDA, Yasuhiko
竹田 康彦
ITO, Tadashi
伊藤 忠
MOTOHIRO, Tomoyoshi
元廣 友美
NAGASHIMA, Tomonori
長島 知理
Inventors: TAKEDA, Yasuhiko
竹田 康彦
ITO, Tadashi
伊藤 忠
MOTOHIRO, Tomoyoshi
元廣 友美
NAGASHIMA, Tomonori
長島 知理
Title: DISPOSITIF À FORCE PHOTOÉLECTROMOTRICE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à force photoélectromotrice de type photoporteur présentant un rendement de conversion efficacement amélioré même si le temps de présence des porteurs dans la couche d'absorption de lumière est court. Le dispositif à force photoélectromotrice comprend une couche d'absorption de lumière (2) qui absorbe la lumière et produit des électrons et des trous, une couche de migration d'électrons (3) adjacente à un côté de la couche d'absorption de lumière (2), une couche de migration de trous (4) adjacente à l'autre côté, une électrode négative (5) installée sur la couche de migration d'électrons (3), et une électrode positive (6) installée sur la couche de migration de trous (4). La couche de migration d'électrons (3) a une largeur d'énergie plus étroite que celle d'une bande de conduction (2c) de la couche d'absorption de lumière (2) et a une bande de conduction (3a) pour laisser passer de façon sélective des électrons d'état énergétique prédéterminé Ee. La couche de migration de trous (4) a une largeur d'énergie plus étroite que celle d'une bande de valence (2d) de la couche d'absorption de lumière (2) et a une bande de valence (4a) pour laisser passer de façon sélective des trous d'état énergétique prédéterminé Eh. La couche d'absorption de lumière (2) contient des impuretés de type p ou n.