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1. (WO2009028426) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/028426    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065045
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 22.08.2008
CIB :
H01L 29/24 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : National University Corporation Okayama University [JP/JP]; 1-1, Tsushima-Naka, 1-chome, Okayama-shi, Okayama 7008530 (JP) (Tous Sauf US).
IKEDA, Naoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKEDA, Naoshi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg., 10-6 Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-219050 24.08.2007 JP
Titre (EN) ELECTRONIC ELEMENT AND ELECTROCONDUCTIVITY CONTROL METHOD
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE
(JA) 電子素子及び電気伝導度制御方法
Abrégé : front page image
(EN)An electronic element includes: an electroconductivity change body (2) having an electroconductivity which changes according to an electric field and an electric field applying device (3) which applies an electric field to the electroconductivity change body (2). The electroconductivity change body (2) includes RFe2O4 and its electroconductivity is changed by the internal electron state change in accordance with an electric field (4) applied by the electric field application device (3) from outside.
(FR)L'invention porte sur un élément électronique qui comprend : un corps à changement de conductivité électrique (2) ayant une conductivité électrique qui change en fonction d'un champ électrique, et sur un dispositif d'application de champ électrique (3) qui applique un champ électrique au corps à changement de conductivité électrique (2). Le corps à changement de conductivité électrique (2) comprend du RFe2O4 et sa conductivité électrique est changée par le changement d'état électronique interne en fonction d'un champ électrique (4) appliqué par le dispositif d'application de champ électrique (3) à partir de l'extérieur.
(JA) 電子素子1は、電場に応じて電気伝導度が変化する電気伝導度変化体2と、電気伝導度変化体2に電場を与える電場付与器3とを備える。電気伝導度変化体2は、RFeを含み、電場付与器3によって外部から印加される電場4に応じて内部の電子の状態が変化することで、その電気伝導度が変化する。これにより、小さい電場の印加に応じて電気伝導度を変化させることが可能な電子素子が実現される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)