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1. (WO2009028410) DIODE À BARRIÈRE SCHOTTKY
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/028410    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/064985
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 22.08.2008
CIB :
H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
HORII, Taku [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAZAKI, Tomihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIYAMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HORII, Taku; (JP).
MIYAZAKI, Tomihito; (JP).
KIYAMA, Makoto; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-226158 31.08.2007 JP
2008-187476 18.07.2008 JP
Titre (EN) SCHOTTKY BARRIER DIODE
(FR) DIODE À BARRIÈRE SCHOTTKY
(JA) ショットキーバリアダイオード
Abrégé : front page image
(EN)A Schottky barrier diode (1) is provided with a GaN self-supporting substrate (2) having a surface (2a), a GaN epitaxial layer (3) formed on the surface (2a), and an insulating layer (4) formed on the surface (3a) of the GaN epitaxial layer (3) with an opening formed thereon. The Schottky barrier diode is also provided with an electrode (5). The electrode (5) is composed of a Schottky electrode formed inside the opening to be brought into contact with the GaN epitaxial layer (3), and a field plate electrode, which is connected to the Schottky electrode and formed to overlap the insulating layer (4). The dislocation density of the GaN self-supporting substrate (2) is 1x108cm-2 or less.
(FR)L'invention porte sur une diode à barrière Schottky (1) qui comporte un substrat autosupporté de GaN (2) comportant une surface (2a), une couche épitaxiale de GaN (3) formée sur la surface (2a) et une couche isolante (4) formée sur la surface (3a) de la couche épitaxiale de GaN (3) avec une ouverture formée sur celle-ci. La diode à barrière Schottky est également dotée d'une électrode (5). L'électrode (5) est constituée par une électrode Schottky formée à l'intérieur de l'ouverture devant être amenée en contact avec la couche épitaxiale de GaN (3), et une électrode de plaque de champ, qui est connectée à l'électrode Schottky et formée de façon à chevaucher la couche isolante (4). La densité de dislocation du substrat autosupporté de GaN (2) est de 1 x 108 cm-2 ou moins.
(JA) ショットキーバリアダイオード(1)は、表面(2a)を有するGaN自立基板(2)と、表面(2a)上に形成されたGaNエピタキシャル層(3)と、GaNエピタキシャル層(3)の表面(3a)上に形成され、開口部が形成されている絶縁層(4)とを備える。また、電極(5)を備える。電極(5)は、開口部の内部に、GaNエピタキシャル層(3)に接触するように形成されたショットキー電極と、ショットキー電極に接続するとともに、絶縁層(4)に重なるように形成された、フィールドプレート電極とによって構成されている。GaN自立基板(2)の転位密度は、1×108cm-2以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)