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1. (WO2009028343) CIRCUIT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ÉQUIPÉ DE CE CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/028343    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/064682
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 18.08.2008
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
SEKIGUCHI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUCHIKAMI, Takaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SEKIGUCHI, Hiroshi; (JP).
FUCHIKAMI, Takaaki; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-226559 31.08.2007 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION CIRCUIT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE PROVIDED WITH THE SAME
(FR) CIRCUIT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ÉQUIPÉ DE CE CIRCUIT
(JA) 光電変換回路およびそれを備えた固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)Photoelectric conversion circuits (P11-Pmn) are provided with a photoelectric conversion element (PD) which has a bias voltage applied at one end and outputs a photocurrent from the other end corresponding to a receiving light quantity, and photocurrent detecting sections (11-13) which clamp the other end voltage of the photoelectric conversion element (PD) at prescribed potential and detect the photocurrent.
(FR)Des circuits de conversion photoélectrique (P11-Pmn) sont équipés d'un élément de conversion photoélectrique (PD) qui comprend une tension de polarisation appliquée sur une extrémité et qui génère un courant photoélectrique à partir de l'autre extrémité correspondant à la quantité de lumière reçue ; et de sections de détection de courant photoélectrique (11-13) qui fixent la tension de l'autre extrémité de l'élément de conversion photoélectrique (PD) à un potentiel prescrit et détectent le courant photoélectrique.
(JA) 光電変換回路(P11~Pmn)は、一端にバイアス電圧が印加され、他端から受光量に応じた光電流を出力する光電変換素子(PD)と、光電変換素子(PD)の他端電圧を所定の電位にクランプし、かつ光電流を検出する光電流検出部(11~13)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)