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1. (WO2009027487) PROCEDE DE LITHOGRAPHIE D'UNE IMAGE PAR ECRITURE DIRECTE CONTINUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/027487    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/061340
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 28.08.2008
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25 rue Leblanc, Immeuble "Le Ponant D", F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
MARTINEZ, Christophe [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : MARTINEZ, Christophe; (FR)
Mandataire : GUERIN, Michel; Marks & Clerk France, Conseils en Propriété Industrielle, Immeuble "Visium", 22, avenue Aristide Briand, F-94117 Arcueil Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
0706130 31.08.2007 FR
Titre (EN) METHOD FOR IMAGE LITHOGRAPHY BY CONTINUOUS DIRECT WRITING
(FR) PROCEDE DE LITHOGRAPHIE D'UNE IMAGE PAR ECRITURE DIRECTE CONTINUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to lithography techniques and more particularly to template-free lithography in which a pattern is directly written on a substrate using an energetic beam, typically a laser beam. According to the invention, the position of the beam is moved according to a continuous movement relative to the surface of the substrate, and the beam is switched on or off depending on the pattern to be written on the substrate. The pattern is such that the smallest width of the areas to be radiated is larger than the smallest width (L, L1) of the areas (8) that must be radiated. The active diameter (D) of the radiation beam is larger than the latter. The diameter is defined based on the depth of the resin to be exposed and is a compromise between the need or depth exposure and the size of the patterns to be written. It is thus possible to achieve a resolution higher than that theoretically possible with the beam diameter, even for resins having a thickness which is much higher than the size of the finest patterns to be produced.
(FR)L'invention concerne les techniques de photolithographie, et plus particulièrement les techniques de photolithographie sans masque dans lesquelles on écrit directement un motif sur un substrat au moyen d'un faisceau énergétique, typiquement un faisceau laser. Selon l'invention, la position du faisceau est déplacée en mouvement continu relativement à la surface du support et le faisceau est allumé ou éteint selon le motif à inscrire dans le support; le motif est tel que la plus petite largeur des zones à illuminer est plus grande que la plus petite largeur (L, L1 ) des zones (8) qui ne doivent pas être illuminées; le diamètre actif (D) du faisceau d'illumination est supérieur à cette dernière. Ce diamètre est défini en fonction de la profondeur de résine à insoler et résulte d'un compromis entre la nécessité d'insoler en profondeur et la taille des motifs à inscrire. On atteint ainsi une résolution plus élevée que ce que permet théoriquement le diamètre du faisceau, même pour des résines dont l'épaisseur est très supérieure à la dimension des motifs les plus fins à réaliser.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)