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1. (WO2009026749) MÉTHODE DE FABRICATION À BASSE TEMPÉRATURE D'UN CONTACT OHMIQUE À FAIBLE RÉSISTIVITÉ DANS UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE DE TYPE P DE NITRURE DES GROUPES III-V
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/026749    N° de la demande internationale :    PCT/CN2007/002617
Date de publication : 05.03.2009 Date de dépôt international : 31.08.2007
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION [CN/CN]; No. 235 East Nanjing Road, Nanchang, Jiangxi 330047 (CN) (Tous Sauf US).
JIANG, Fengyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Li [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
FANG, Wenqing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
MO, Chunlan [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : JIANG, Fengyi; (CN).
WANG, Li; (CN).
FANG, Wenqing; (CN).
MO, Chunlan; (CN)
Mandataire : KING & WOOD PRC LAWYERS; 31/F, Office Tower A, 39 Dongsanhuan Zhonglu, Chaoyang District, Beijing 100022 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A LOW-RESISTIVITY OHMIC CONTACT TO A P-TYPE III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AT LOW TEMPERATURE
(FR) MÉTHODE DE FABRICATION À BASSE TEMPÉRATURE D'UN CONTACT OHMIQUE À FAIBLE RÉSISTIVITÉ DANS UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE DE TYPE P DE NITRURE DES GROUPES III-V
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a group III-V nitride structure with an ohmic-contact layer. The method involves fabricating a group III-V nitride structure with a p-type layer. The method further involves depositing an ohmic-contact layer on the p-type layer without first annealing the p-tyep layer. The method also involves subsequently annealing the p-type layer and the ohmic-contact layer in an annealing chamber at a predetermined temperature for a predetermined period of time, thereby reducing the resistivity of the p-type layer and the ohmic contact in a single annealing process.
(FR)L'invention porte dans une exécution sur une méthode de fabrication d'une structure de nitrure des groupes III-V à couche de contact ohmique. La méthode comporte les étapes suivantes: fabrication d'une structure de nitrure des groupes III-V à couche de type p; dépôt d'une couche de contact ohmique sur la couche de type p sans recuit préalable de la couche p; et recuit simultané de la couche de type p et de la couche de contact ohmique dans une chambre de recuit à une température prédéterminée et pendant un temps prédéterminé, ce qui permet de réduire la résistivité de la couche de type p et de la couche de contact ohmique en une seule opération de recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)