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1. (WO2008131395) INTERCONNEXION PAR BOSSES DE SOUDURE POUR DES PERFORMANCES MÉCANIQUES ET THERMOMÉCANIQUES AMÉLIORÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/131395    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/061186
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 22.04.2008
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC [US/US]; 3701 East University Drive, Phoenix, Arizona 85034 (US) (Tous Sauf US).
ALVARADO, Reynante [PH/US]; (US) (US Seulement).
LU, Yuan [US/US]; (US) (US Seulement).
REDBURN, Richard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ALVARADO, Reynante; (US).
LU, Yuan; (US).
REDBURN, Richard; (US)
Mandataire : DIXON, Cynthia, A.; Greenberg Traurig, LLP, 2450 Colorado Avenue, Suite 400E, Santa Monica, CA 90404 (US)
Données relatives à la priorité :
60/913,337 23.04.2007 US
12/107,009 21.04.2008 US
Titre (EN) SOLDER BUMP INTERCONNECT FOR IMPROVED MECHANICAL AND THERMO MECHANICAL PERFORMANCE
(FR) INTERCONNEXION PAR BOSSES DE SOUDURE POUR DES PERFORMANCES MÉCANIQUES ET THERMOMÉCANIQUES AMÉLIORÉES
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for a semiconductor package including a bump on input-output (IO) structure are disclosed involving a device pad, an under bump metai pad (UBM), a polymer, and a passivation layer. The shortest distance from the center of the device pad to its outer edge, and the shortest distance from the center of the UBM to its outer edge are in a ratio from 0.5:1 to 0.95:1. Also, the shortest distance from the center of the polymer to its outer edge, and the shortest distance from the center of the UBM to its outer edge are in a ratio from 0.35:1 to 0.85:1. Additionally, the shortest distance from the center of the passivation layer to its outer edge, and the shortest distance from the center of the UBM to its outer edge are in a ratio from 0.35:1 to 0.80:1.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé pour un boîtier de semiconducteur incluant une bosse sur une structure d'entrée/sortie (E/S), lesquels mettent en jeu une plage de composant et une plage métallique à bosse (UBM), un polymère et une couche de passivation. La distance la plus courte du centre de la plage du composant jusqu'à son bord extérieur et la distance la plus courte du centre de la plage UBM jusqu'à son bord extérieur se trouvent dans un rapport allant de 0,5: 1 à 0,95:1. De même la distance la plus courte depuis le centre du polymère jusqu'à son bord extérieur et la distance la plus courte du centre de la plage UBM jusqu'à son bord extérieur se trouvent dans un rapport allant de 0,35:1 à 0,85:1. De plus, la distance la plus courte du centre de la couche de passivation jusqu'à son bord extérieur et la distance la plus courte du centre de la plage UBM jusqu'à son bord extérieur se trouvent dans un rapport allant de 0,35:1 à 0,80:1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)