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1. (WO2008131295) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR INTERAGIR AVEC UN FAISCEAU D'ÉLECTRONS DÉCENTRÉ ET MODULÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/131295    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/060921
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 18.04.2008
CIB :
H01J 25/00 (2006.01)
Déposants : L-3 COMMUNICATIONS CORPORATION [US/US]; 960 Industrial Road, San Carlos, California 94070 (US) (Tous Sauf US).
KOWALCZYK, Richard Donald [US/US]; (US) (US Seulement).
KIRSHNER, Mark Frederick [US/US]; (US) (US Seulement).
WILSEN, Craig Bisset [US/US]; (US) (US Seulement).
MARCHEWKA, Chad Daniel [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOWALCZYK, Richard Donald; (US).
KIRSHNER, Mark Frederick; (US).
WILSEN, Craig Bisset; (US).
MARCHEWKA, Chad Daniel; (US)
Mandataire : BERLINER, Brian M.; O'Melveny & Myers LLP, 400 South Hope Street, Los Angeles, California 90071 (US)
Données relatives à la priorité :
60/913,202 20.04.2007 US
12/106,171 18.04.2008 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR INTERACTION WITH A MODULATED OFF-AXIS ELECTRON BEAM
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR INTERAGIR AVEC UN FAISCEAU D'ÉLECTRONS DÉCENTRÉ ET MODULÉ
Abrégé : front page image
(EN)An output circuit for a microwave tube is provided that has generally high interaction impedance for good efficiency, has high average power capability, and is physically large for a given operating frequency. The output circuit is designed to operate in conjunction with an off-axis, bunched electron beam. Electromagnetic fields are applied to the region in which the electron beam propagates to impart an azimuthal velocity to the bunched electron beam. The electron bunches then interact synchronously with a resonant output structure to excite radio-frequency modes from which energy can be extracted and applied to a load.
(FR)La présente invention concerne un circuit de sortie pour un tube à micro-ondes, ayant une impédance d'interaction généralement élevée pour une bonne efficacité, une forte capacité de puissance moyenne et qui soit suffisamment grand pour une fréquence de fonctionnement donnée. Le circuit de sortie est conçu pour fonctionner en coordination avec un faisceau d'électrons resserré et décentré. Les champs électromagnétiques sont appliqués à la région dans laquelle se propage le faisceau d'électrons pour appliquer une vélocité d'azimut au faisceau d'électrons resserré. Les resserrements d'électrons interagissent ensuite en synchronisation avec une structure de sortie résonante pour exciter les modes haute fréquence à partir desquels de l'énergie peut être extraite et appliquée à une charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)