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1. (WO2008130933) DIODE ZENER ET PROCÉDÉ DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES DE COMMANDE DE COURANT ÉLEVÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130933    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/060358
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 15.04.2008
CIB :
H01L 21/8222 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA MICRO DEVICES CORPORATION [US/US]; 490 North Mccarthy Boulevard, Suite 100, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
GEE, Harry [US/US]; (US) (US Seulement).
WHITWORTH, Adam [US/US]; (US) (US Seulement).
SHARMA, Umesh [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GEE, Harry; (US).
WHITWORTH, Adam; (US).
SHARMA, Umesh; (US)
Mandataire : JAKOPIN, David, A.; Pillsbury Winthrop Shaw Pittman Llp, P.o.box 10500, Mclean, VA 22102 (US)
Données relatives à la priorité :
11/738,176 20.04.2007 US
Titre (EN) A HIGH CURRENT STEERING ESD PROTECTION ZENER DIODE AND METHOD
(FR) DIODE ZENER ET PROCÉDÉ DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES DE COMMANDE DE COURANT ÉLEVÉ
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a N+/P+ zener diode where the reverse breakdown occurs in a controlled, and uniform manner leading to improved speed of operation and increase in current handling capability.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode Zener N+/P+ où le claquage inverse se produit d'une manière uniforme et commandée menant à une vitesse de fonctionnement améliorée et une augmentation de la capacité de gestion de courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)