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1. (WO2008130823) CONTACTS OHMIQUES TRANSPARENTS SUR DES DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES AVEC DES SUBSTRATS DE SUPPORT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130823    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059390
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 04.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.02.2009    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703-8475 (US) (Tous Sauf US).
EDMOND, John, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SLATER, Jr, David, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
BERGMANN, Michael, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : EDMOND, John, A.; (US).
SLATER, Jr, David, B.; (US).
BERGMANN, Michael, J.; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Summa, Allan & Additon, P.A., 11610 N. Community House Road, Charlotte, NC 28277 (US)
Données relatives à la priorité :
11/738,171 20.04.2007 US
Titre (EN) TRANSPARENT OHMIC CONTACTS ON LIGHT EMITTING DIODES WITH CARRIER SUBSTRATES
(FR) CONTACTS OHMIQUES TRANSPARENTS SUR DES DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES AVEC DES SUBSTRATS DE SUPPORT
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode is disclosed that includes an active structure formed of at least p-type and n-type epitaxial layers of Group III nitride on a conductive carrier substrate. A conductive bonding system joins the active structure to the conductive carrier substrate. A first transparent ohmic contact is on the active structure adjacent the conductive carrier substrate, a second transparent ohmic contact is on the active structure opposite the conductive carrier substrate, and a third ohmic contact is on the conductive carrier substrate opposite from the active structure.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente qui comprend une structure active constituée au moins de couches épitaxiales de type p et de type n de nitrure de groupe III sur un substrat de support conducteur. Un système de liaison conducteur joint la structure active au substrat de support conducteur. Un premier contact ohmique transparent est sur la structure active adjacente au substrat de support conducteur, un deuxième contact ohmique transparent est sur la structure active opposée au substrat de support conducteur, et un troisième contact ohmique est sur le substrat de support conducteur opposé à la structure active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)