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1. (WO2008130821) CONTACTS OHMIQUES TRANSPARENTS SUR DES DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES AVEC DES SUBSTRATS DE CROISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130821    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059381
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 04.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.05.2009    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703-8475 (US) (Tous Sauf US).
EDMOND, John, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SLATER, JR, David, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
BERGMANN, Michael, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : EDMOND, John, A.; (US).
SLATER, JR, David, B.; (US).
BERGMANN, Michael, J.; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Summa, Allan & Additon, P.A., 11610 N. Community House Road, Charlotte, NC 28277 (US)
Données relatives à la priorité :
11/738,122 20.04.2007 US
Titre (EN) TRANSPARENT OHMIC CONTACTS ON LIGHT EMITTING DIODES WITH GROWTH SUBSTRATES
(FR) CONTACTS OHMIQUES TRANSPARENTS SUR DES DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES AVEC DES SUBSTRATS DE CROISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode is disclosed that includes a growth substrate, a substantially transparent ohmic contact on a first surface of the growth substrate, a Group III nitride, light-emitting active region on a second surface of the growth substrate, a p-type Group III nitride contact layer on the active region that transmits light generated in the active region, and a substantially transparent ohmic contact on the p-type contact layer,
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente qui comprend un substrat de croissance, un contact ohmique sensiblement transparent sur une première surface du substrat de croissance, un nitrure de groupe III, une région active d'émission de lumière sur une deuxième surface du substrat de croissance, une couche de contact en nitrure de groupe III de type p sur la région active qui transmet la lumière générée dans la région active, et un contact ohmique sensiblement transparent sur la couche de contact de type p.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)