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1. (WO2008130691) MOSFET DE PUISSANCE À TRANCHÉE LATÉRALE HAUTE TENSION (> 100 V) AVEC UNE FAIBLE RÉSISTANCE SPÉCIFIQUE À L'ÉTAT PASSANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130691    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/005119
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 20.04.2008
CIB :
H01L 21/335 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE [US/US]; 110 8th Street, Troy, NY 12180-3590 (US) (Tous Sauf US).
CHOW, Tat-Sing, Paul [US/US]; (US) (US Seulement).
VARADARAJAN, Kamal, Raj [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHOW, Tat-Sing, Paul; (US).
VARADARAJAN, Kamal, Raj; (US)
Mandataire : WALSH, Edmund, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., Federal Reserve Plaza, 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210-2206 (US)
Données relatives à la priorité :
60/925,633 20.04.2007 US
Titre (EN) A HIGH VOLTAGE (>100V) LATERAL TRENCH POWER MOSFET WITH LOW SPECIFIC-ON-RESISTANCE
(FR) MOSFET DE PUISSANCE À TRANCHÉE LATÉRALE HAUTE TENSION (> 100 V) AVEC UNE FAIBLE RÉSISTANCE SPÉCIFIQUE À L'ÉTAT PASSANT
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect, a lateral MOS device is provided. The lateral MOS device includes a gate electrode disposed at least partially in a gate trench to apply a voltage to a channel region, and a drain electrode spaced from the gate electrode, and in electrical communication with a drift region having a boundary with a lower end of the channel region. The device includes a gate dielectric layer in contact with the gate electrode, and disposed between the gate electrode and the drain electrode. The channel region is adjacent to a substantially vertical wall of the gate trench. The device includes a field plate contacting the gate electrode and configured to increase a breakdown voltage of the device.
(FR)Un aspect de l'invention concerne un dispositif MOS latéral. Le dispositif MOS latéral comprend une électrode de grille disposée au moins partiellement dans une tranchée de grille pour appliquer une tension à une région de canal, et une électrode de drain espacée de l'électrode de grille, et en communication électrique avec une région de dérive ayant une frontière avec une extrémité inférieure de la région de canal. Le dispositif comprend une couche diélectrique de grille en contact avec l'électrode de grille, et disposée entre l'électrode de grille et l'électrode de drain. La région de canal est adjacente à une paroi sensiblement verticale de la tranchée de grille. Le dispositif comprend une plaque de champ en contact avec l'électrode de grille et configurée pour augmenter une tension de claquage du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)