WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008130519) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LE PLAQUAGE AUTOCATALYTIQUE DE GALETTES DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130519    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/004769
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 11.04.2008
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US) (Tous Sauf US).
THIE, William [ID/US]; (US) (US Seulement).
BOYD, John, M. [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
REDEKER, Fritz, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
DORDI, Yezdi [US/US]; (US) (US Seulement).
PARKS, John [US/US]; (US) (US Seulement).
ARUNAGIRI, Tiruchirapalli [IN/US]; (US) (US Seulement).
OWCZARZ, Aleksander [US/US]; (US) (US Seulement).
BALISKY, Todd [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, Clint [US/US]; (US) (US Seulement).
WYLIE, Jacob [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHOEPP, Alan, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : THIE, William; (US).
BOYD, John, M.; (CA).
REDEKER, Fritz, C.; (US).
DORDI, Yezdi; (US).
PARKS, John; (US).
ARUNAGIRI, Tiruchirapalli; (US).
OWCZARZ, Aleksander; (US).
BALISKY, Todd; (US).
THOMAS, Clint; (US).
WYLIE, Jacob; (US).
SCHOEPP, Alan, M.; (US)
Mandataire : WRIGHT, Kenneth; Martine Penilla & Gencarella, Llp, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/735,987 16.04.2007 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR WAFER ELECTROLESS PLATING
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LE PLAQUAGE AUTOCATALYTIQUE DE GALETTES DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor wafer electroless plating apparatus includes a platen and a fluid bowl. The platen has a top surface defined to support a wafer, and an outer surface extending downward from a periphery of the top surface to a lower surface of the platen. The fluid bowl has an inner volume defined by an interior surface so as to receive the platen, and wafer to be supported thereon, within the inner volume. A seal is disposed around the interior surface of the fluid bowl so as to form a liquid tight barrier when engaged between the interior surface of the fluid bowl and the outer surface of the platen. A number of fluid dispense nozzles are positioned to dispense electroplating solution within the fluid bowl above the seal so as to rise up and flow over the platen, thereby flowing over the wafer when present on the platen.
(FR)L'appareil de placage autocatalytique pour galettes de semi-conducteur de la présente invention comprend un plateau et une cuve à liquide. Le plateau possède une surface de dessus conçue pour porter une galette, ainsi qu'une surface extérieure s'étendant vers le bas depuis la périphérie de la surface de dessus, jusqu'à une surface inférieure dudit plateau. La cuve à liquide a un volume intérieur défini par une surface intérieure, ledit volume intérieur étant approprié pour contenir le plateau et la galette placée dessus. Un joint est disposé autour de la surface intérieure de la cuve à liquide pour former une barrière étanche aux liquides lorsque ledit joint est pris entre la surface intérieure de la cuve et la surface extérieure du plateau. Des buses de distribution de liquide sont disposées de manière à délivrer la solution de placage autocatalytique à l'intérieur de la cuve à liquide au-dessus du joint, en montant et en s'écoulant au-dessus du plateau de manière à s'écouler au-dessus de la galette de semi-conducteur éventuellement présente sur le plateau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)