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1. (WO2008130517) SYSTÈME DE PLACAGE ANÉLECTROLYTIQUE DE TRANCHES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130517    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/004752
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 11.04.2008
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US) (Tous Sauf US).
THIE, William [ID/US]; (US) (US Seulement).
BOYD, John, M. [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
REDEKER, Fritz, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
DORDI, Yezdi [US/US]; (US) (US Seulement).
PARKS, John [US/US]; (US) (US Seulement).
ARUNAGIRI, Tiruchirapalli [IN/US]; (US) (US Seulement).
OWCZARZ, Aleksander [US/US]; (US) (US Seulement).
BALISKY, Todd [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, Clint [US/US]; (US) (US Seulement).
WYLIE, Jacob [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHOEPP, Alan, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : THIE, William; (US).
BOYD, John, M.; (CA).
REDEKER, Fritz, C.; (US).
DORDI, Yezdi; (US).
PARKS, John; (US).
ARUNAGIRI, Tiruchirapalli; (US).
OWCZARZ, Aleksander; (US).
BALISKY, Todd; (US).
THOMAS, Clint; (US).
WYLIE, Jacob; (US).
SCHOEPP, Alan, M.; (US)
Mandataire : WRIGHT, Kenneth; Martine Penilla & Gencarella, LLP, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/735,984 16.04.2007 US
Titre (EN) WAFER ELECTROLESS PLATING SYSTEM AND ASSOCIATED METHODS
(FR) SYSTÈME DE PLACAGE ANÉLECTROLYTIQUE DE TRANCHES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)A dry-in/dry-out system is disclosed for wafer electroless plating. The system includes an upper zone for wafer ingress/egress and drying operations. Proximity heads are provided in the upper zone to perform the drying operations. The system also includes a lower zone for electroless plating operations. The lower zone includes an electroless plating apparatus that implements a wafer submersion by fluid upwelling method. The upper and lower zones of the system are enclosed by a dual- walled chamber, wherein the inner wall is a chemically inert plastic and the outer wall is a structural metal. The system interfaces with a fluid handling system which provides the necessary chemistry supply and control for the system. The system is ambient controlled. Also, the system interfaces with an ambient controlled managed transfer module (MTM).
(FR)La présente invention concerne un système d'entrée sèche/sortie sèche pour le placage anélectrolytique de tranches. Le système comporte une zone supérieure pour l'entrée/la sortie de tranches et des opérations de séchage. Des têtes proximales sont prévues dans la zone supérieure pour effectuer les opérations de séchage. Le système comporte également une zone inférieure pour des opérations de placage anélectrolytique. La zone inférieure comporte un appareil de placage anélectrolytique qui effectue l'immersion de tranches par un procédé de remontée de fluide. Les zones supérieure et inférieure sont contenues dans une enceinte à double paroi, la paroi intérieure étant une matière plastique chimiquement inerte et la paroi extérieure étant un métal structurel. Le système est en interface avec un système de contrôle de fluide qui assure l'alimentation la composition chimique nécessaire et la commande du système. Le système est également à atmosphère contrôlée. Le système est également en interface avec un module de transfert contrôlé à atmosphère contrôlée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)