WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008130448) CLAPET OBTURATEUR CONTRÔLÉ PAR LA TEMPÉRATURE DANS UNE CHAMBRE DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130448    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/084930
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 16.11.2007
CIB :
B08B 5/00 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
ARENA, Chantal [US/US]; (US) (US Seulement).
WERKHOVEN, Christiaan [NL/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ARENA, Chantal; (US).
WERKHOVEN, Christiaan; (US)
Mandataire : FANUCCI, Allan, A.; Winston & Strawn Llp, Patent Department, 1700 K Street, N.W., Washington, DC 20006-3817 (US)
Données relatives à la priorité :
60/866,953 22.11.2006 US
60/942,832 08.06.2007 US
Titre (EN) TEMPERATURE-CONTROLLED PURGE GATE VALVE FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER
(FR) CLAPET OBTURATEUR CONTRÔLÉ PAR LA TEMPÉRATURE DANS UNE CHAMBRE DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to methods and apparatus that are optimized for producing Group III-N (nitrogen) compound semiconductor wafers and specifically for producing GaN wafers. Specifically, the methods relate to substantially preventing the formation of unwanted materials on an isolation valve fixture within a chemical vapor deposition (CVD) reactor. In particular, the invention provides apparatus and methods for limiting deposition/condensation of GaCl3 and reaction by-products on an isolation valve that is used in the system and method for forming a monocrystalline Group III - V semiconductor material by reacting an amount of a gaseous Group III precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber.
(FR)L'invention concerne des procédés et des appareils qui sont optimisés pour produire des tranches à semi-conducteurs composés du groupe III-N (azote) et plus spécifiquement pour produire des tranches GaN. Les procédés visent de manière plus spécifique à prévenir sensiblement la formation de matériaux indésirables sur un système de vanne d'isolement dans un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD). En particulier, l'invention décrit un appareil et des procédés destinés à limiter le dépôt/la condensation de GaCl3 et de produits dérivés sur une vanne d'isolement qui est utilisée dans le système et le procédé pour former un matériau à semi-conducteur monocristallin du Groupe III - V en faisant réagir une quantité d'un précurseur gazeux du Groupe III en tant que réactif avec une quantité d'un composant gazeux du groupe V en tant qu'autre réactif, dans une chambre réactionnelle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)