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1. (WO2008130205) SYSTÈME DE PULVÉRISATION À DEUX CIBLES DESTINÉ À PASSIVER UN FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM FAISANT INTERVENIR CE SYSTÈME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130205    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/002337
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 24.04.2008
CIB :
H01L 21/203 (2006.01)
Déposants : TOP ENGINEERING CO., LTD [KR/KR]; 60-3, Oro-ri, Goa-eup, Kumi City, Kyungsangbuk-do, 730-816 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Sang-hyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
RYU, Do-hyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Sang-hyun; (KR).
RYU, Do-hyun; (KR)
Mandataire : HONESTY AND PATENT IP LAW FIRM; Kukdong Bldg. 20F, 60-1, Chungmuro 3-ka, Chung-ku, Seoul 100-705 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0039856 24.04.2007 KR
Titre (EN) TWIN TARGET SPUTTER SYSTEM FOR THIN FILM PASSIVATION AND METHOD OF FORMING FILM USING THE SAME
(FR) SYSTÈME DE PULVÉRISATION À DEUX CIBLES DESTINÉ À PASSIVER UN FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM FAISANT INTERVENIR CE SYSTÈME
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a twin target sputter system for thin film passivation, which generates high density plasma between the same-shaped targets opposite to each other to thereby form a film at a high speed, and a method of forming the film using the same. The twin target sputter system for thin film passivation includes: a vacuum chamber; a substrate supporter which supports a substrate in the vacuum chamber; a pair of sputter guns each of which faces the substrate, and comprises a yoke plate opened to one side or opposite sides and a plurality of magnets disposed on the yoke plate at regular intervals; targets which are mounted on the pair of yoke plates, respectively; a gun supporter which supports the pair of sputter guns; and a power supply which supplies electric current to the targets, wherein the plurality of magnets each comprises upper and lower parts, the upper and lower parts are formed as a single body and different in magnetic polarity from each other, and the plurality of magnets are aligned in a line, and wherein the gun supporter or the substrate supporter is movable in the chamber. Using the twin target sputter system for thin film passivation and the method of forming a film using the same, an organic light emitting diode (OLED) and an organic thin film transistor (OTFT) can be fabricated by a simple thin film process without an encapsulation process using the existing metal can or glass substrate, thereby simplifying the process and lowering initial investment costs for fabricating the OLED.
(FR)L'invention concerne un système de pulvérisation à deux cibles destiné à passiver un film mince. Ce système génère un plasma à haute densité entre deux cibles de même forme opposées l'une à l'autre pour former un film à haute vitesse. L'invention concerne également un procédé de formation de film faisant intervenir ce système. Le système de pulvérisation à deux cibles destiné à passiver un film mince comprend : un compartiment sous vide; un support de substrat servant de support à un substrat dans le compartiment sous vide; deux pistolets de pulvérisation faisant face au substrat comprenant un plateau oscillant ouvert sur un côté ou sur les côtés opposés et une pluralité d'aimants montés sur le plateau oscillant à intervalles réguliers; des cibles qui sont respectivement montées sur les deux plateaux oscillants; un support de pistolet servant de support aux deux pistolets de pulvérisation; et une source d'alimentation fournissant un courant électrique aux cibles, les aimants comprenant chacun une partie supérieure et une partie inférieure, la partie supérieure et la partie inférieure étant formées de manière monobloc et présentant une polarité magnétique différente, les aimants étant alignés, et le support de pistolet ou le support de substrat pouvant se déplacer dans le compartiment. L'utilisation du système de pulvérisation à deux cibles destiné à passiver un film mince et du procédé de formation de film faisant intervenir ce système permet de fabriquer une diode électroluminescente organique (OLED) et un transistor en couche mince organique (OTFT) par simple traitement du film mince, sans encapsulation, à l'aide du substrat de verre ou de la canette métallique existante, ce qui simplifie le processus et réduit les coûts d'investissements initiaux de fabrication d'une OLED.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)