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1. (WO2008130031) FILM CONDUCTEUR RÉFLÉCHISSANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/130031    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/057595
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 18.04.2008
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), B05D 5/12 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASAKI, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKATA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Toshiharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMASAKI, Kazuhiko; (JP).
TAKATA, Yoshiaki; (JP).
HAYASHI, Toshiharu; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-110598 19.04.2007 JP
2008-095008 01.04.2008 JP
Titre (EN) CONDUCTIVE REFLECTING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) FILM CONDUCTEUR RÉFLÉCHISSANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 導電性反射膜及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a conductive reflecting film formed by firing metal nanoparticles. The average diameter of pores appeared on a contact surface of the film on a base material side is 100nm or less, the average depth where the pores are positioned is 100nm or less, and the number density of the pores is 30 pores/&mgr;m2 or less.
(FR)L'invention concerne un film conducteur réfléchissant formé en cuisant des nanoparticules métalliques. Le diamètre moyen des pores apparus sur une surface de contact du film sur un côté de matériau de base est de 100 nm ou moins, la profondeur moyenne à laquelle les pores sont positionnés est de 100 nm ou moins, et la densité numérique des pores est de 30 pores/µm2 ou moins.
(JA) この導電性反射膜は、金属ナノ粒子を焼成することにより形成される導電性反射膜であって、この膜の基材側の接触面に出現する気孔の平均直径は100nm以下、この気孔が位置する平均深さは100nm以下、この気孔の数密度は30個/μm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)