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1. (WO2008129964) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET COMPOSITION DE RÉSIST, SOLUTION DE DÉVELOPPEMENT ET LIQUIDE DE RINÇAGE À UTILISER DANS LE PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129964    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/057187
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 11.04.2008
CIB :
G03F 7/30 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (Tous Sauf US).
TARUTANI, Shinji; (US Seulement).
TSUBAKI, Hideaki; (US Seulement).
MIZUTANI, Kazuyoshi; (US Seulement).
WADA, Kenji; (US Seulement).
HOSHINO, Wataru; (US Seulement)
Inventeurs : TARUTANI, Shinji; .
TSUBAKI, Hideaki; .
MIZUTANI, Kazuyoshi; .
WADA, Kenji; .
HOSHINO, Wataru;
Mandataire : TAKAMATSU, Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Kawabe Bldg., 7-9, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-106175 13.04.2007 JP
2007-198054 30.07.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR PATTERN FORMATION, AND RESIST COMPOSITION, DEVELOPING SOLUTION AND RINSING LIQUID FOR USE IN THE METHOD FOR PATTERN FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET COMPOSITION DE RÉSIST, SOLUTION DE DÉVELOPPEMENT ET LIQUIDE DE RINÇAGE À UTILISER DANS LE PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for pattern formation, characterized by comprising the step of coating a resist composition, which contains a resin having an alicyclic hydrocarbon structure, has a degree of dispersion of not more than 1.7 and causes an enhancement in polarity upon the action of an acid and causes a reduction in solubility in a negative-working developing solution upon exposure to an actinic radiation or a radiation, the step of exposure, and the step of developing the exposed composition with a negative-working developing solution. There are also provided a resist composition for use in the method, and a developing solution and a rinsing liquid for use in the method. The method, composition, developing solution, and rinsing liquid can realize the formation of a pattern which has reduced line edge roughness and further has a high level of dimensional evenness.
(FR)Cette invention concerne un procédé de formation de motif, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à appliquer en revêtement une composition de résist, qui contient une résine ayant une structure d'hydrocarbure alicyclique, qui a un degré de dispersion qui n'est pas supérieur à 1,7, et qui entraîne une amélioration de la polarité entre l'action d'un acide et provoque une réduction de la solubilité dans une solution de développement négative lors d'une exposition à un rayonnement actinique ou à un rayonnement, l'étape d'exposition, et l'étape de développement de la composition exposée avec une solution de développement négative. L'invention concerne également une composition de résist destinée à être utilisée dans le procédé, et une solution de développement et un liquide de rinçage à utiliser dans le procédé. Le procédé, la composition, la solution de développement et le liquide de rinçage peuvent réaliser la formation d'un motif qui présente une rugosité de bord de ligne réduite, et a en outre un niveau élevé d'homogénéité dimensionnelle.
(JA)脂環式炭化水素構造を有し、分散度が1.7以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、露光工程、および、ネガ型現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物及び該方法に用いられる現像液及びリンス液により、ラインエッジラフネスが低減され、更に寸法均一性も高いパターンが形成可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)