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1. (WO2008129963) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129963    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/057176
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 11.04.2008
CIB :
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAO, Masakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Mitsuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SENDA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAO, Masakazu; (JP).
SAKAI, Mitsuhiko; (JP).
SENDA, Kazuhiko; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-107130 16.04.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体発光素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a high-luminance semiconductor light-emitting device obtained by using an opaque semiconductor substrate and forming a metal reflective layer. Also disclosed is a method for manufacturing such a high-luminance semiconductor light-emitting device. Specifically disclosed is a semiconductor light-emitting device comprising a GaAs substrate structure and a light-emitting diode structure arranged on the GaAs substrate structure. The GaAs substrate structure comprises a GaAs layer (3), a first metal buffer layer (2) arranged on the front side of the GaAs layer, a first metal layer (1) arranged on the first metal buffer layer, and a second metal buffer layer (4) and a second metal layer (5) arranged on the back side of the GaAs layer. The light-emitting diode structure comprises a third metal layer (12), a metal contact layer (11) arranged on the third metal layer, a p-type cladding layer (10) arranged on the metal contact layer, a multiple quantum well layer (9) arranged on the p-type cladding layer, an n-type cladding layer (8) arranged on the multiple quantum well layer, and a window layer (7) arranged on the n-type cladding layer. This semiconductor light-emitting device is characterized in that the GaAs substrate structure and ther light-emitting diode structure are bonded together by using the first metal layer (1) and the third metal layer (12).
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur à luminance élevée obtenu en utilisant un substrat semi-conducteur opaque et en formant une couche réflectrice métallique. L'invention concerne également un procédé permettant de fabriquer un tel dispositif électroluminescent semi-conducteur à luminance élevée. De façon précise, l'invention concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur comprenant une structure de substrat de GaAs et une structure de diode électroluminescente agencée sur la structure de substrat de GaAs. La structure de substrat de GaAs comprend une couche de GaAs (3), une première couche tampon métallique (2) agencée sur le côté avant de la couche de GaAs, une première couche métallique (1) agencée sur la première couche tampon métallique, et une seconde couche tampon métallique (4) et une seconde couche métallique (5) agencée sur le côté arrière de la couche de GaAs. La structure de diode électroluminescente comprend une troisième couche métallique (12), une couche de contact métallique (11) agencée sur la troisième couche métallique, une couche de placage de type p (10) agencée sur la couche de contact métallique, une couche à multiples puits quantiques (9) agencée sur la couche de placage de type p, et une couche de placage de type n (8) agencée sur la couche à multiples puits quantiques, et une couche de fenêtre (7) agencée sur la couche de placage de type n. Ce dispositif électroluminescent semi-conducteur est caractérisé en ce que la structure du substrat de GaAs et la structure de la diode électroluminescente sont fixées ensemble en utilisant la première couche métallique (1) et la troisième couche métallique (12).
(JA) 不透明な半導体基板を用いて、金属反射層を形成して高輝度の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。  GaAs層3と、GaAs層の表面に配置された第1金属バッファ層2と、第1金属バッファ層上に配置された第1金属層1と、GaAs層の裏面に配置された第2金属バッファ層4と第2金属層5とを備えるGaAs基板構造と、GaAs基板構造上に配置され、第3金属層12と、第3金属層上に配置される金属コンタクト層11と、金属コンタクト層上に配置されるp型クラッド層10と、p型クラッド層に配置される多重量子井戸層9と、多重量子井戸層上に配置されるn型クラッド層8と、n型クラッド層上に配置されるウィンドウ層7を備える発光ダイオード構造とから構成され、第1金属層1および第3金属層12を用いて、GaAs基板構造と、発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)