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1. (WO2008129908) PIÈCE À MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE EUV
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129908    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054413
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 11.03.2008
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
HAYASHI, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KADOWAKI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIKAMI, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIYAMA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYASHI, Kazuyuki; (JP).
KADOWAKI, Kazuo; (JP).
MIKAMI, Masaki; (JP).
SUGIYAMA, Takashi; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-108042 17.04.2007 JP
Titre (EN) REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) PIÈCE À MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE EUV
(JA) EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク
Abrégé : front page image
(EN)A reflective mask blank for EUV lithography having an absorber layer which has a low reflectance in the wavelength region for an EUV light and pattern inspection light and can be easily regulated so as to have the desired film composition and film thickness. The reflective mask blank for EUV lithography comprises a substrate and, formed thereover in the following order, a reflective layer which reflects an EUV light and an absorber layer which absorbs the EUV light. It is characterized in that the absorber layer comprises tantalum (Ta), boron (B), and silicon (Si), the absorber layer has a B content of 1-5 at.%, excluding 5 at.%, and an Si content of 1-25 at.%, and the absorber layer does not contain nitrogen (N) or contains nitrogen in an amount of 10 at.% or smaller.
(FR)L'invention concerne une pièce à masque réfléchissant pour une lithographie EUV comportant une couche d'absorption qui a une faible réflectance dans la région de longueurs d'onde pour une lumière EUV et une lumière d'inspection de motif et qui peut être facilement régulée de manière à obtenir la composition de film et l'épaisseur de film souhaitées. La pièce à masque réfléchissant pour une lithographie EUV comprend un substrat et, formées sur celui-ci dans l'ordre suivant, une couche réfléchissante qui réfléchit une lumière EUV et une couche d'absorption qui absorbe la lumière EUV. Elle est caractérisée en ce que la couche d'absorption comprend du tantale (Ta), du bore (B), et du silicium (Si), la couche d'absorption a une teneur en B de 1 à 5 % atomique, à l'exclusion de 5 % atomique, et une teneur en Si de 1 à 25 % atomique, et la couche d'absorption ne contient pas d'azote (N) ou contient de l'azote en une quantité de 10 % atomique ou moins.
(JA) EUV光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。  基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル(Ta)、ホウ素(B)およびケイ素(Si)を含有し、前記吸収体層におけるBの含有率が1at%以上5at%未満であり、Siの含有率が1~25at%であり、前記吸収体層が、窒素(N)を含有しないかまたはNを10at%以下含有することを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)