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1. (WO2008129891) COMPOSITION DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129891    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/051873
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 05.02.2008
CIB :
H01L 21/308 (2006.01), C23F 1/14 (2006.01), C23F 1/30 (2006.01), C23F 1/40 (2006.01)
Déposants : TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Fumiharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Fumiharu; (JP).
HARA, Yasushi; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-105720 13.04.2007 JP
2007-148025 04.06.2007 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR ETCHING AND METHOD OF ETCHING
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング用組成物及びエッチング方法
Abrégé : front page image
(EN)A composition for etching which does not foul the apparatus, is inexpensive, contains no strong alkali, and can etch ruthenium; and a method of etching with the composition. The composition for ruthenium etching is characterized by comprising chlorine and water, containing no fluorine, and having a pH lower than 12.
(FR)L'invention concerne une composition de gravure qui n'encrasse pas l'appareil, n'est pas coûteuse, ne contient aucun alcali fort et peut graver le ruthénium ; et un procédé de gravure avec la composition. La composition pour une gravure de ruthénium est caractérisée par le fait qu'elle comporte du chlore et de l'eau, qu'elle ne contient pas de fluor, et qu'elle a un pH inférieur à 12.
(JA) 装置を汚染せず、低コストで、強アルカリを使用することなく、ルテニウムをエッチングできる、エッチング用組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。  塩素及び水を含み、フッ素を含まず、なおかつpHが12未満であることを特徴とするルテニウムのエッチング用組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)