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1. (WO2008129844) APPAREILLAGE DE GRAVURE AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129844    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000786
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 28.03.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
OKITA, Shogo; (US Seulement).
WATANABE, Syouzou; (US Seulement).
SUZUKI, Hiroyuki; (US Seulement).
HOUTIN, Ryuuzou; (US Seulement)
Inventeurs : OKITA, Shogo; .
WATANABE, Syouzou; .
SUZUKI, Hiroyuki; .
HOUTIN, Ryuuzou;
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-084070 28.03.2007 JP
2007-084071 28.03.2007 JP
2008-051233 29.02.2008 JP
Titre (EN) PLASMA ETCHING APPARATUS
(FR) APPAREILLAGE DE GRAVURE AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング装置
Abrégé : front page image
(EN)A plasma etching apparatus is provided with a chamber (1) which can be depressurized; a placing section (3) which supports in the chamber (1) a subject (2) to be processed; a dielectric member (5) which seals an upper opening of the chamber (1); and a coil (4) arranged outside the dielectric member (5). The coil (4) generates plasma (6) in the chamber (1) by inductive coupling and etches the subject (2). The dielectric member (5) has discontinuous recessed sections (5c). The portion other than the recessed sections (5c) on the dielectric member (5) is permitted to be a thick section (5b). The thickness of the dielectric member (5) of therecessed sections (5c) is less than that of the thick section (5b). The recessed sections (5c) are arranged in accordance with the distribution density of a conductor configuring the coil (4).
(FR)L'invention concerne un appareillage de gravure au plasma pourvu d'une chambre (1) pouvant être dépressurisée ; d'une partie (3) de placement servant de support à un sujet (2) à traiter dans la chambre (1) ; d'un élément diélectrique (5) fermant hermétiquement une ouverture supérieure dans la chambre (1) ; et d'une bobine (4) placée à l'extérieur de l'élément diélectrique (5). La bobine (4) génère un plasma (6) dans la chambre (1) par couplage inductif et grave le sujet (2). L'élément diélectrique (5) comporte des parties en creux (5c) discontinues. La partie ne constituant pas les parties en creux (5c) sur l'élément diélectrique (5) peut être formée en une partie épaisse (5b). L'épaisseur de l'élément diélectrique (5) au niveau des parties en creux (5c) est inférieure à celle de la partie épaisse (5b). Les parties en creux (5c) sont disposées conformément à la densité de répartition d'un conducteur configurant la bobine (4).
(JA) プラズマエッチング装置は、減圧可能なチャンバー1、チャンバー1内で被処理物2を支持する載置部3、チャンバー1の上部開口を封止する誘電体部材5、誘電体部材5の外に設けられたコイル4を備える。コイル4は、誘導結合によりチャンバー1内にプラズマ6を発生させて被処理物2をエッチングする。誘電体部材5には、互いに不連続な凹部5cが設けられている。誘電体部材5の凹部5c以外の部分は厚肉部5bとする。凹部5cの誘電体部材5の厚みは厚肉部5bよりも小さい。コイル4を構成する導体の分布密度に応じて凹部5cが配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)