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1. (WO2008129755) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL D'INSPECTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129755    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000336
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 26.02.2008
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), G01R 31/302 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
KITAGAWA, Hiroki; (US Seulement).
KATSURA, Hiroaki; (US Seulement)
Inventeurs : KITAGAWA, Hiroki; .
KATSURA, Hiroaki;
Mandataire : ITAGAKI, Takao; OX Nishihonmachi Bldg. 4th Floor, 10-10 Nishi-Hommachi 1-chome Nishi-ku, Osaka-shi Osaka 5500005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-102598 10.04.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL D'INSPECTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイスの検査方法および半導体デバイスの検査装置
Abrégé : front page image
(EN)With respect to a structure (A) composed of a diffusion region in a semiconductor device structure to be inspected, intensity of an electromagnetic wave oscillation waveform generated by pulse laser beam irradiation is compared with previously measured intensity of an electromagnetic wave oscillation waveform outputted when the structure (A) of a reference device is irradiated with the pulse laser beam. After correction (S14) of electromagnetic wave detection sensitivity, a semiconductor device to be inspected is inspected. Thus, a measurement error due to fluctuation of an electromagnetic wave detection sensitivity of an inspecting apparatus is eliminated, and conformity judgment (S16) is accurately performed.
(FR)Selon l'invention, en rapport à une structure (A) composée d'une région de diffusion dans une structure de dispositif à semi-conducteur devant être inspectée, une intensité d'une forme d'onde d'oscillation d'onde électromagnétique générée par rayonnement de faisceau laser à impulsions est comparée avec une intensité précédemment mesurée précédemment d'une forme d'onde d'oscillation d'onde électromagnétique émise lorsque la structure (A) d'un dispositif de référence est irradiée avec le faisceau laser à impulsions. Après correction (S14) de la sensibilité de détection d'onde électromagnétique, un dispositif à semi-conducteur devant être inspecté est inspecté. Ainsi, une erreur de mesure due à une fluctuation d'une sensibilité de détection d'onde électromagnétique d'un appareil d'inspection est éliminée, et une détermination de conformité (S16) est réalisée de manière précise.
(JA) 検査する半導体デバイス構造に備えられた拡散領域からなる構造Aに対し、パルスレーザ光を照射した場合に発生する電磁波振幅波形の強度と、予め測定しておいた基準品の構造Aにパルスレーザ光を照射したときに放出される電磁波振幅波形の強度を比較し、電磁波検出感度を校正(S14)した後、検査対象の半導体デバイスを検査することで、検査装置の電磁波検出感度ズレが原因となる測定誤差をなくし、精度よく良否判定(S16)を行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)