WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008129605) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129605    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/057689
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 30.03.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.02.2008    
CIB :
H01L 43/12 (2006.01), C23F 4/00 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (Tous Sauf US).
KODAIRA, Yoshimitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OSADA, Tomoaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KODAIRA, Yoshimitsu; (JP).
OSADA, Tomoaki; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No.602, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING MAGNETIC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE
(JA) 磁性素子の製造法
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic film is etched in a plasma atmosphere using a non-organic film mask to produce a magnetic element. The plasma atmosphere is formed from at least one gasifying compound selected from the group consisting of ethers, aldehydes, carboxylic acids, esters, and diones. A magnetic film or diamagnetic film containing at least one metal selected from the group consisting of the elements in Groups 8, 9, and 10 of the Periodic Table is etched using a non-organic-material mask in the plasma atmosphere. At least one gas selected from the group consisting of oxygen, ozone, nitrogen, H2O, N2O, NO2, and CO2 can be added as a plasma-atmosphere gas to the gasifying compound. The etching rate and etching ratio were satisfactory.
(FR)Selon un mode de réalisation décrit dans cette invention, un film magnétique est gravé dans une atmosphère de plasma au moyen d'un film non organique pour produire un élément magnétique. L'atmosphère de plasma est constituée d'au moins un composé de gazéification choisi dans le groupe comprenant les éthers, les aldéhydes, les acides carboxyliques, les esters et les diones. Un film magnétique ou diamagnétique contenant au moins un métal choisi dans le groupe comprenant les éléments des groupes 8, 9 et 10 du tableau périodique est gravé au moyen d'un masque de matériau non organique dans l'atmosphère de plasma. Au moins un gaz choisi dans le groupe comprenant l'oxygène, ozone, hydrogène, H2O, N2O, NO2, et CO2 peut être ajouté en tant que gaz d'atmosphère de plasma au composé de gazéification. Ce mode de réalisation permet d'obtenir un vitesse de gravure et un rapport de gravure satisfaisants.
(JA)磁性膜を、非有機膜マスクを用いてプラズマ雰囲気下でエッチングして、磁性素子を製造する。エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を用いて形成したプラズマ雰囲気を形成し、プラズマ雰囲気下で非有機材料マスクを用いて、周期律表第8族、9族及び10族の元素から成る金属群より選択された少なくとも1種の金属を含む磁性膜、又は反磁性膜をエッチングする。プラズマ雰囲気のガスとして、酸素、オゾン、窒素、H2O、N2O、NO2及びCO2からなるガス群から選択された少なくとも1種のガスを上述のガス化化合物に付加し得る。エッチング速度、エッチング比は良好であった。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)